[发明专利]发光器件有效

专利信息
申请号: 201110342594.0 申请日: 2011-10-28
公开(公告)号: CN102468393A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 丁焕熙 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张浴月;郑小军
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 器件
【说明书】:

相关申请的交叉参考

本申请要求申请日为2010年10月29日的韩国专利申请No.10-2010-0107139的优先权,其公开内容通过援引合并于此。

技术领域

本发明涉及一种发光器件。

背景技术

荧光灯由于出现黑斑、使用寿命短等问题而需要频繁地更换。此外,荧光灯由于使用了荧光材料而与更为环境友好的照明器件的需求不相符合。因此,荧光灯逐渐被其它光源所替代。

在发光器件中,对发光二极管(LED)作为替代光源很感兴趣。LED具有半导体的优点(例如快速处理速度和低功耗),是环境友好的,并且具有高的节能效果。因此,LED是主导型的下一代光源。就此而言,正在积极地进行用LED替代现有荧光灯的实际应用。

当前,半导体发光器件(例如LED)被应用于电视机、监视器、笔记本电脑、蜂窝电话以及配备有显示器的各种电器。特别地,它们被广泛地用作替代冷阴极荧光灯(CCFL)的背光单元。

近来,要求发光器件具有高亮度,以使它们可被用作照明光源。为了获得这种高亮度,正在对能够实现均匀电流扩散(current diffusion)从而提高发光效率的发光器件的制造加以探索。

发明内容

本发明的实施例提供一种发光器件,用以实现发光效率、稳定性及可靠性的提高。

在一个实施例中,一种发光器件包括:发光结构,包括第一半导体层、第二半导体层以及插入在该第一半导体层与该第二半导体层之间的有源层;绝缘层,接触于该发光结构的下方;以及保护层,布置在该发光结构下方,并形成有图案,在该图案处设置有该绝缘层。

在另一个实施例中,一种发光器件包括:发光结构,包括第一半导体层、第二半导体层以及插入在该第一半导体层与该第二半导体层之间的有源层;保护层,形成有与该第一半导体层相接触的至少两个凸台;以及绝缘层,布置在所述至少两个凸台中的图案上,并与该第一半导体层相接触。

在又一个实施例中,一种发光器件包括:发光结构,包括第一半导体层、第二半导体层以及插入在该第一半导体层与该第二半导体层之间的有源层;绝缘层,接触于该第一半导体层下方的一部分;以及保护层,布置在该第一半导体层下方;其中,该保护层与该第一半导体层的一部分相接触。

本公开的实施例可以实现发光效率、稳定性及可靠性的提高。

附图说明

将参照如下附图来详细描述实施例,其中相似的附图标记指代相似的元件,在附图中:

图1是示出根据示例实施例的发光器件的上表面的平面图;

图2是沿图1中A-A’线的剖视图;

图3是沿图1中B-B’线的剖视图;

图4(a)是示出图1所示保护层的第一表面的透视图;

图4(b)是示出图4(a)中的保护层被翻转后的第二表面的透视图;

图5是根据示例实施例的包括发光器件的发光器件封装的剖视图;

图6是示出根据示例实施例的包括发光器件的照明装置的透视图;

图7是沿图6中C-C’线的剖视图;

图8是示出根据示例实施例的包括发光器件的液晶显示装置的分解透视图;以及

图9是示出根据另一实施例的包括发光器件的液晶显示装置的分解透视图。

具体实施方式

现在将详细参照优选实施例,其示例示出于附图中。

通过结合附图的以下实施例,用于解决上述问题的优点和特性以及方法将被清楚地理解。但是,实施例并非限定性的,而是可以用其它各种形式来实现。实施例只是用来更加完整地进行说明,并且使本领域普通技术人员能够完全地理解本发明的范围。本发明的范围仅由权利要求所限定。因此,在某些实施例中,对公知的工艺、公知的器件结构以及公知的技术不进行详细说明,以避免不清楚的阐释。在说明书全文中,相同的附图标记将用来指代相同或相似的部件。

空间相关性术语“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等等可被用来表示如图所示的在一个器件或组件与其它器件或组件之间的关系。应当理解,空间相关性术语包括图中示出的方向以及在使用或工作期间器件的其它方向。例如,在图中示出的器件被反转的情况下,布置在另一器件“下面”或“下方”的器件可能会被布置在该另一器件“上方”。因此,示例性术语“下方”可能包括“下面”或“下方”以及“上方”。器件可沿其它方向布置。结果是,空间相关性术语可依据方位而解释。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110342594.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top