[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，包括第一半导体层、第二半导体层以及插入在该第一半导体层与该第二半导体层之间的有源层；

绝缘层，接触于该发光结构的下方；以及

保护层，被布置在该发光结构下方，并形成有图案，在该图案处设置有该绝缘层。

2.一种发光器件，包括：

发光结构，包括第一半导体层、第二半导体层以及插入在该第一半导体层与该第二半导体层之间的有源层；

保护层，形成有与该第一半导体层相接触的至少两个凸台；以及

绝缘层，被布置在所述至少两个凸台中的图案上，并与该第一半导体层相接触。

3.如权利要求1或2所述的发光器件，其中，该保护层与该发光结构垂直地重叠，并与该发光结构的一部分相接触。

4.如权利要求1或2所述的发光器件，其中，该图案的深度对应于该保护层的厚度的0.3至0.7倍。

5.如权利要求1或2所述的发光器件，其中，该图案具有多边形或半圆形的横截面。

6.如权利要求1或2所述的发光器件，其中，该图案在至少一个侧表面处开口。

7.如权利要求1或2所述的发光器件，其中，该保护层包括如下材料中的至少一种：Ti、Ni、Pt、Pb、Rh、Ir、Fe、Mo、V及W。

8.如权利要求1或2所述的发光器件，其中，该保护层具有1至10μm的厚度。

9.如权利要求1或2所述的发光器件，其中，该绝缘层包括如下材料中的至少一种：SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO_x、TiO₂及AlN。

10.如权利要求1所述的发光器件，其中，该图案包括至少一个凹槽。

11.如权利要求1或2所述的发光器件，还包括：

衬底，被布置在该保护层下方；

其中，该保护层包括：第一表面，被布置在该第一半导体层下方且与其邻近，并形成有该图案；以及第二表面，被布置在该衬底上且与其邻近，并形成为与该第一表面相对。

12.如权利要求11所述的发光器件，其中，该保护层包括：

第一区域，具有第一厚度；以及

第二区域，在该第二区域处形成有该图案，该第二区域环绕该第一区域。

13.如权利要求12所述的发光器件，其中，该第二区域具有大于该第一厚度的第二厚度。

14.如权利要求12所述的发光器件，还包括：

电极层，被布置在该第一区域上，并接触于该第一半导体层的下方。

15.如权利要求14所述的发光器件，还包括：

反射层，被插入在该保护层与该电极层之间；

其中，该反射层的宽度等于或窄于该电极层的宽度。

16.如权利要求15所述的发光器件，其中，该反射层包括如下材料中的至少一种：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及Hf。

17.如权利要求14所述的发光器件，还包括：

电流阻挡层，插入在该第一半导体层与该电极层之间；

其中，该电流阻挡层由与该保护层和该绝缘层的至少其中之一相同的材料制成。

18.如权利要求2所述的发光器件，其中，所述至少两个凸台中的至少一个穿入该第一半导体层中。

19.一种发光器件，包括：

发光结构，包括第一半导体层、第二半导体层以及插入在该第一半导体层与该第二半导体层之间的有源层；

绝缘层，接触于该第一半导体层的下方的一部分；以及

保护层，被布置在该第一半导体层下方；

其中，该保护层与该第一半导体层的一部分相接触。