[发明专利]晶片承接设备和常压化学气相沉积装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备和常压化学气相沉积装置。

背景技术

在制造半导体器件时，通常会使用常压化学气相沉积（PACVD）技术来沉积多种材料层，包括绝缘材料层和金属材料层。为了实现自动化生产，在沉积过程中，晶片都是通过传送系统被装载、传送、卸载和归位的。

以WJ型常压化学气相沉积装置为例，晶片首先由操作人员从晶片盒中取出并被放置在装载往返器上，装载往返器将晶片传送到位于常压化学气相沉积装置一端的晶片入口；到达晶片入口的晶片由装载机械手取出放置在传送带上，而装载往返器则返回去装载下一晶片；被放置在传动带上的晶片由传动带传送经过沉积腔室来完成一系列的化学反应后，到达位于常压化学气相沉积装置另一端的晶片出口；处理后的晶片由卸载机械手从晶片出口取下放置在卸载往返器上，卸载往返器将该晶片传递给返回往返器后去卸载下一晶片；返回往返器将该晶片从出口一端送回至入口一端，并由操作人员取下放回至晶片盒，如此即完成常压化学气相沉积反应的传送过程。

然而，在上述包括装载往返器、装载机械手、传送带、卸载机械手、卸载往返器和返回往返器等的传送系统由于不可避免的通讯故障或常压化学气相沉积装置的其它故障，导致卸载机械手失灵，无法从传送带上取下已到达晶片出口的晶片。而此时即使操作人员停止向装载往返器上放置晶片，该常压化学气相沉积装置中还有十几个晶片在传送过程中，这些晶片仍然会被陆续地传送至晶片出口。现有的常压化学气相沉积装置是在晶片出口下方放置接片箱，以接收掉落的晶片。一方面，掉落很可能导致晶片破损；另一方面，接片箱中的晶片会互相叠加而出现“叠片”，而“叠片”会使晶片之间直接接触并相对运动而导致划伤。为了避免浪费和影响后续工序，需要先检测缺陷以确认是否影响性能，只有性能未受影响的晶片才可以被送入下一道处理工序。由此可见，这样的通讯故障往往导致成品率下降或生产效率降低。

所以，还需要一种用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备和常压化学气相沉积装置，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决现有技术中存在上述问题，本发明提供了一种用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备，其特征在于，所述晶片承接设备包括：承接平台，所述承接平台用于承接从所述常压化学气相沉积装置的晶片出口掉落的晶片；驱动器，所述驱动器驱动所述承接平台在水平面内移动；控制器，所述控制器在所述常压化学气相沉积装置出现故障时，控制所述驱动器驱动所述承接平台移动，以承接掉落的晶片。

优选地，所述驱动器驱动所述承接平台在水平面内沿平行于所述常压化学气相沉积装置的晶片输出方向的第一方向移动。

优选地，所述承接平台在承接所述掉落的晶片时，所述驱动器驱动所述承接平台沿所述第一方向移动第一距离。

优选地，所述第一距离大于或等于所述掉落的晶片的直径。

优选地，所述第一距离大于或等于所述掉落的晶片的直径的1.1倍且小于或等于所述掉落的晶片的直径的1.2倍。

优选地，所述承接平台在承接所述掉落的晶片时沿所述第一方向的移动速率与晶片的输出速率相同。

优选地，所述驱动器驱动所述承接平台沿所述第一方向移动所述第一距离之后，驱动所述承接平台在水平面内沿与所述第一方向垂直的第二方向移动第二距离。

优选地，所述第二距离大于或等于所述掉落的晶片的直径。

优选地，所述第二距离大于或等于所述掉落的晶片的直径的1.1倍且小于或等于所述掉落的晶片的直径的1.2倍。 

优选地，所述承接平台位于所述晶片出口之下，且所述承接平台的上表面与所述晶片出口的下端在竖直方向上的距离小于等于所述掉落的晶片的半径。

优选地，所述晶片承接设备还包括信号发射器和信号接收器，所述信号发射器和所述信号接收器设置在所述晶片出口的附近，所述信号发射器向所述信号接收器连续发送信号，所述信号的通路与所述掉落的晶片的掉落路径相交，以在所述信号接收器未能接收到信号时向所述控制器发送掉落警报。

本发明还提供一种常压化学气相沉积装置，所述常压化学气相沉积装置包括如上所述的晶片承接设备。