[发明专利]晶片承接设备和常压化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 201110341983.1 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN103094153A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 谭宇琦 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;徐丁峰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 承接 设备 常压 化学 沉积 装置 | ||
1.一种用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备，其特征在于，所述晶片承接设备包括：
承接平台，所述承接平台用于承接从所述常压化学气相沉积装置的晶片出口掉落的晶片；
驱动器，所述驱动器驱动所述承接平台在水平面内移动；
控制器，所述控制器在所述常压化学气相沉积装置出现故障时，控制所述驱动器驱动所述承接平台移动，以承接掉落的晶片。
2.如权利要求1所述的晶片承接设备，其特征在于，所述驱动器驱动所述承接平台在水平面内沿平行于所述常压化学气相沉积装置的晶片输出方向的第一方向移动。
3.如权利要求2所述的晶片承接设备，其特征在于，所述承接平台在承接所述掉落的晶片时，所述驱动器驱动所述承接平台沿所述第一方向移动第一距离。
4.如权利要求3所述的晶片承接设备，其特征在于，所述第一距离大于或等于所述掉落的晶片的直径。
5.如权利要求4所述的晶片承接设备，其特征在于，所述第一距离大于或等于所述掉落的晶片的直径的1.1倍且小于或等于所述掉落的晶片的直径的1.2倍。
6.如权利要求2所述的晶片承接设备，其特征在于，所述承接平台在承接所述掉落的晶片时沿所述第一方向的移动速率与晶片的输出速率相同。
7.如权利要求3所述的晶片承接设备，其特征在于，所述驱动器驱动所述承接平台沿所述第一方向移动所述第一距离之后，驱动所述承接平台在水平面内沿与所述第一方向垂直的第二方向移动第二距离。
8.如权利要求7所述的晶片承接设备，其特征在于，所述第二距离大于或等于所述掉落的晶片的直径。
9.如权利要求9所述的晶片承接设备，其特征在于，所述第二距离大于或等于所述掉落的晶片的直径的1.1倍且小于或等于所述掉落的晶片的直径的1.2倍。
10.如权利要求1所述的晶片承接设备，其特征在于，所述承接平台位于所述晶片出口之下，且所述承接平台的上表面与所述晶片出口的下端在竖直方向上的距离小于等于所述掉落的晶片的半径。
11.如权利要求1所述的晶片承接设备，其特征在于，所述晶片承接设备还包括信号发射器和信号接收器，所述信号发射器和所述信号接收器设置在所述晶片出口的附近，所述信号发射器向所述信号接收器连续发送信号，所述信号的通路与所述掉落的晶片的掉落路径相交，以在所述信号接收器未能接收到信号时向所述控制器发送掉落警报。
12.一种常压化学气相沉积装置，其特征在于，所述常压化学气相沉积装置包括如权利要求1-11中任一项所述的晶片承接设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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