[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110340619.3 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094192A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，包括：
提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有沟槽；
其特征在于，还包括：
氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层，形成氧化层；
对靠近沟槽侧壁的部分厚度的所述氧化层进行氮化处理，形成位于所述沟槽侧壁的保护层、位于所述层间介质层和保护层之间的牺牲层；
待形成所述保护层后，填充所述沟槽形成与所述层间介质层表面齐平的导电线；
去除所述牺牲层，形成空气间隙。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料为SiO2。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层采用的气体为O2、O3或CO2。
4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层的温度条件为：大于等于150℃。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层采用的工艺为等离子体氧化工艺。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氮化处理采用的气体为NH3、N2、NO或NO2中的一种。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成工艺为等离子体氮化工艺。
8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为SiN。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的宽度小于所述氧化层的宽度的1/2。
10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的宽度大于相邻两沟槽之间最小距离的1/10，且小于相邻两沟槽之间最小距离的3/7。
11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺采用的化学试剂包括氢氟酸。
12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述沟槽通过单图形或双镶嵌图形的大马士革工艺形成。
13.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为K值小于3.0的低K介质材料。
14.如权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述低K介质材料中包括C、Si、O和H元素。
15.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成横跨所述空气间隙，且覆盖所述层间介质层和保护层的绝缘层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
