[发明专利]DMOS器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种DMOS器件及其制造方法。

背景技术

在半导体芯片的制造工艺完成后，通过电测试的硅片就需要进行单个芯片的装配和封装，这些在最终装配和封装中进行的工序，被称为后道工序，后道工序还包括一级封装和二级封装等。其中一级封装包括背面减薄、分片、装架以及引线键合等工艺过程。在引线键合过程中，需要将芯片表面的金属压点与引线框架上或基座上的电极内端(也称为柱)进行电性连接，在此之前，对于DMOS器件，需要先识别器件的栅区和源区，之后，再采用金属引线将位于器件栅区、源区和漏区表面的金属压点与引线框架或基座上的电极内端连接起来。

现有技术中对DMOS器件的栅区和源区进行识别的设备多通过二者的色差进行识别，在实际生产过程中发现，在识别过程中，往往出现对源区和栅区识别不清的问题，一旦对源区和栅区识别不清，则在后续的引线键合过程的出现连接错误的可能性就很大，从而导致产品报废。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种DMOS器件及其制造方法，能够清楚的识别DMOS器件的栅区和源区，从而提高引线键合过程的准确性。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种DMOS器件制造方法，包括：

提供基底，所述基底包括有源区和位于所述有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐；

去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。

优选的，去除掉预设厚度的ILD层材料后，所述DMOS器件源区表面上的金属区域和栅区表面上的金属区域反光能力不同。

优选的，去除掉预设厚度的ILD层材料的过程具体为，采用各向异性刻蚀工艺去除掉预设厚度的ILD层材料。

优选的，所述预设厚度为

优选的，所述预设厚度为

优选的，所述各向异性刻蚀工艺所采用的刻蚀气体包括CF4、CHF3和氩气。

优选的，所述各向异性刻蚀工艺所采用的刻蚀气体中CF4的浓度在16sccm-20sccm以内，CHF3的浓度在60cm-80cm以内，氩气的浓度在80sccm-120sccm以内。

优选的，所述各向异性刻蚀工艺的刻蚀时间为60s。

优选的，还包括：

在具有高度差的ILD层和所述钨塞表面形成金属层，进入金属互连过程；

完成金属互连过程后，在金属层上形成压焊点；

进行低温合金工艺，完成DMOS器件的制作过程。

本发明实施例还公开了采用上述方法制作的DMOS器件，所述DMOS器件的ILD层和钨塞表面具有高度差。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本发明实施例所提供的技术方案，通过在形成钨塞之后，即进行了金属钨的化学机械研磨后，增加了对ILD层的回刻过程，经过此次回刻过程，使得钨塞表面和ILD层表面不再齐平，从而使得后续形成金属层及压焊点之后，源区部位和栅区部位表面的金属区域也不再平齐，由于栅区的钨塞数量与源区的钨塞数量不同，从而使得栅区表面的金属区域的剖面形状与源区表面的金属区域的剖面形状不同，进而使得栅区表面的金属区域与区表面的金属区域的反光能力不同，使得在进行识别时，识别光束打到产品晶片上后，栅区和源区存在色差，从而能够通过色差清楚的识别DMOS器件的栅区和源区，提高了后续引线键合过程的准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中形成钨塞后的DMOS器件剖面的电子显微照片；

图2为对现有技术中的DMOS器件进行识别时的电子显微照片；

图3-图5为本发明实施例一公开的DMOS器件制造方法的剖面图；

图6为本发明实施例的方法制作出的DMOS器件的电子显微照片；

图7为对本实施例中的DMOS器件进行识别时的电子显微照片。

具体实施方式