[发明专利]DMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110338198.0 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094111A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 万颖 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种DMOS器件制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括有源区和位于所述有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐；
去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。
2.根据权利要求1所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，去除掉预设厚度的ILD层材料后，所述DMOS器件源区表面上的金属区域和栅区表面上的金属区域反光能力不同。
3.根据权利要求2所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，去除掉预设厚度的ILD层材料的过程具体为，采用各向异性刻蚀工艺去除掉预设厚度的ILD层材料。
4.根据权利要求3所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述预设厚度为
5.根据权利要求4所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述预设厚度为
6.根据权利要求4所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀工艺所采用的刻蚀气体包括CF4、CHF3和氩气。
7.根据权利要求6所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀工艺所采用的刻蚀气体中CF4的浓度在16sccm-20sccm以内，CHF3的浓度在60cm-80cm以内，氩气的浓度在80sccm-120sccm以内。
8.根据权利要求7所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀工艺的刻蚀时间为60s。
9.根据权利要求1所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，还包括：
在具有高度差的ILD层和所述钨塞表面形成金属层，进入金属互连过程；
完成金属互连过程后，在金属层上形成压焊点；
进行低温合金工艺，完成DMOS器件的制作过程。
10.一种采用权利要求1-9任一项所述的方法制作的DMOS器件，其特征在于，所述DMOS器件的ILD层和钨塞表面具有高度差。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
