[发明专利]P型一次性可编程器件结构

权利要求书

1.一种P型一次性可编程器件结构，在硅片上形成有N型阱，在N型阱上从左到右依序形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区，第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的N型阱上及第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的N型阱上分别形成有栅氧，第一P型重掺杂区同第二P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有存储管栅极多晶硅，第二P型重掺杂区同第三P型重掺杂区之间的栅氧之上形成有选通管栅极多晶硅，其特征在于，所述存储管栅极多晶硅上方形成有一导电层，所述导电层同所述存储管栅极多晶硅之间有介质层。

2.根据权利要求1所述的P型一次性可编程器件结构，其特征在于，所述导电层是多晶硅层或金属层。

3.根据权利要求1所述的P型一次性可编程器件结构，其特征在于，所述介质层为氧化物、氮氧化物或氮化物。

4.根据权利要求1所述的P型一次性可编程器件结构，其特征在于，所述栅氧及其上的栅极多晶硅两侧有氧化物或氮氧化物侧墙。

5.根据权利要求1所述的P型一次性可编程器件结构，其特征在于，第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区同相邻的栅氧之间的N型阱中分别形成有P型轻掺杂区。

6.根据权利要求1至5任一项所述的P型一次性可编程器件结构，其特征在于，所述导电层通过通孔和金属同第二P型重掺杂区相短接后电位悬空。

7.根据权利要求6所述的P型一次性可编程器件结构，其特征在于，所述第三P型重掺杂区通过通孔和金属引出作为器件的源极，所述选通管栅极多晶硅通过通孔和金属引出作为器件的字线，所述第一P型重掺杂区通过通孔和金属引出作为器件的位线。

8.根据权利要求6所述的P型一次性可编程器件结构，其特征在于，所述导电层通过通孔和金属同第一P型重掺杂区相短接。

9.根据权利要求8所述的P型一次性可编程器件结构，其特征在于，所述第三P型重掺杂区通过通孔和金属引出作为器件的源极，所述选通管栅极多晶硅通过通孔和金属引出作为器件的字线，所述第一P型重掺杂区通过通孔和金属引出作为器件的位线。