[发明专利]发光二极管装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，尤其涉及一种发光二极管装置。

背景技术

相比于传统的发光源，发光二极管（Light Emitting Diode，LED）具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。

现有的多芯片白光LED通常采用多个蓝光LED芯片加上黄色荧光粉来制作。但是同一批蓝光LED芯片，其波长差可能较大，从而导致做出的多芯片白光LED产生较大的色偏。一般，在人眼可辨识的状况下，对高品质光源色偏的要求是限制其色品坐标(CIE)X,Y值的可容许误差在+/-0.005内。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种具有较低色偏的发光二极管装置。

一种发光二极管装置，包括一基板、位于基板上的若干蓝光LED芯片、封装所述蓝光LED芯片于其内部的封装体及荧光粉，所述若干蓝光LED芯片的波长不同，最长波长与最短波长的波长差小于单一波长的蓝光LED芯片的最小半幅宽，一部分蓝光LED芯片发出的光线被荧光粉吸收后，荧光粉发出荧光光线，一部分蓝光LED芯片发出的光线直接穿透荧光粉，并与荧光光线混光形成白光。

与现有技术相比，将多个具有不同波长的蓝光LED混光，其中各蓝光LED之间的最大波长差不大于单一波长的蓝光LED的半幅宽，可有效的降低色偏差异。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明一实施例的发光二极管装置示意图。

图2为多个LED芯片形成一个多波长芯片的发光二极管装置示意图。

图3为荧光粉不同设置方式示意图。

图4为本发明的不同实施例的发光二极管芯片的发光光谱图。

图5为本发明不同实施例的发光二极管装置的波峰值的波长范围在10nm以下时的色品坐标分布图。

图6为本发明不同实施例的发光二极管装置的波峰值的波长范围在40nm以下时的色品坐标分布图。

主要元件符号说明

发光二极管装置10基板11LED芯片12封装体13荧光粉14

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参见图1，本发明一实施例提供的白光发光二极管装置（Light Emitting Diode，LED）10，其包括一基板11、位于基板11上的若干LED芯片12、封装所述LED芯片12于其内部的封装体13及荧光粉14。

所述基板11呈平板状，用于支撑所述LED芯片12于其上表面上。所述LED芯片12分别为具有不同波长的蓝光LED芯片。而且每一个所述LED芯片12可以有一种以上的波长。如图2所示，所述多个LED芯片12也可以是相互电性连结形成一个可以发出多种波长蓝光的芯片，其电性连结的方式可以是串联、并联，或串并联混合电路。通常，单一波长的蓝光LED芯片的半幅宽（Full Width Half Maximum，FWHM）大致为25nm（nanometer，纳米），所述具有不同波长的蓝光LED芯片的波长差均不大于该半幅宽值。各所述LED芯片12的波长是不连续的，且非固定间距。可以理解的，所述不同波长的LED芯片可以是在同一磊晶基板上生长形成的。