[发明专利]发光二极管装置

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包括一基板、位于基板上的若干蓝光LED芯片、封装所述蓝光LED芯片于其内部的一封装体及荧光粉，其特征在于，所述若干蓝光LED芯片的波长中最长波长与最短波长的波长差小于任一蓝光LED芯片的最小半幅宽，一部分蓝光LED芯片发出的光线被荧光粉吸收后，荧光粉发出荧光光线，一部分蓝光LED芯片发出的光线直接穿透荧光粉，并与荧光光线混光形成白光。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述蓝光LED芯片的波长差的范围在25nm以内。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述蓝光LED芯片的波长是不连续变化。

4.如权利要求3所述的发光二极管装置，其特征在于：所述蓝光LED芯片的波长差为非固定变化。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述蓝光LED芯片也可以是相互电性连结形成一个蓝光芯片，其电性连结的方式可以是串联、并联，或串并联混合电路。

6.如权利要求5所述的发光二极管装置，其特征在于：所述蓝光芯片具有一种以上的波长。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述封装体介于所述荧光粉与蓝光LED芯片之间。

8.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述荧光粉混合在所述封装体中。

9.如权利要求8所述的发光二极管装置，其特征在于：所述荧光粉与所述蓝光LED芯片的距离可以是零或大于零。

10.如权利要求1至9项任一项所述的发光二极管装置，其特征在于：所述荧光粉为硫化物荧光粉、硅酸盐荧光粉、氮化物荧光粉、氮氧化物荧光粉、钇铝石榴石荧光粉、(SrCa)SiAlN 或 SiAlON荧光粉中的任意一种。

11.如权利要求1至9项任一项所述的发光二极管装置，其特征在于：所述封装体中还包括有扩散粒子。

12.如权利要求1至9项任一项所述的发光二极管装置，其特征在于：所述蓝光LED芯片可以是在同一磊晶基板上生长形成的。