[发明专利]对RF设备进行镀金属的方法以及用于该方法的溅镀装置无效
申请号: | 201110332603.8 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN102453874A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 郑铭峻;金明浩;郑贤泳;吴世英 | 申请(专利权)人: | ACE技术株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/14 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | rf 设备 进行 镀金 方法 以及 用于 装置 | ||
1.一种用于对RF设备进行镀金属的溅镀装置,包括:
放置所述RF设备的被镀金属体的支撑部;
由用于对所述被镀金属体进行镀金属的材料形成的第一靶子;以及
与所述第一靶子分开排列的第二靶子,
其中,对所述被镀金属体进行镀金属时,分别向所述第一靶子和所述第二靶子供给电力。
2.根据权利要求1所述的溅镀装置,其中,所述第一靶子和所述第二靶子呈八子形地设置在所述RF设备的上方。
3.根据权利要求1所述的溅镀装置,其中,所述RF设备为腔体滤波器,从所述靶子分离的镀金属物质沉积在腔体内的底面和侧面,
其中,所述底面以及所述侧面的最大厚度偏差为3倍以下。
4.根据权利要求1所述的溅镀装置,其中,所述靶子由同一物质形成,并且所述靶子由银或者铜形成。
5.根据权利要求1所述的溅镀装置,其中,在镀金属工序期间供给至所述被镀金属体的偏置电压发生变化。
6.根据权利要求1所述的溅镀装置,其中,所述第一靶子和所述第二靶子中的至少一个为圆柱形或者五角以上的多角形。
7.根据权利要求1所述的溅镀装置,其中,所述支撑部具有与所述被镀金属体的侧面相对应的弯曲部,
其中,所述弯曲部形成有至少一个电极,通过所述电极向所述被镀金属体供给预定电源。
8.一种用于对RF设备进行镀金属的溅镀装置,包括:
所述RF设备的被镀金属体放置的支撑部;以及
面向所述支撑部,并且由用于对所述被镀金属体进行镀金属的材料形成的靶子,
其中,在镀金属工序期间所述靶子和所述被镀金属体中的至少一个上下摇摆。
9.根据权利要求8所述的溅镀装置,其中,所述RF设备为腔体滤波器,从所述靶子分离的镀金属物质沉积在腔体内的底面以及侧面,
其中,所述底面以及所述侧面的最大厚度偏差为3倍以下,并且所述靶子由银或者铜形成。
10.根根权利要求8所述的溅镀装置,其中,在镀金属工序期间供给至所述被镀金属体的偏置电压发生变化。
11.根据权利要求8所述的溅镀装置,其中,所述靶子为圆柱形或者五角以上的多角形。
12.根据权利要求8所述的溅镀装置,其中,所述支撑部具有与所述被镀金属体侧面相对应的弯曲部,
其中,所述弯曲部形成有至少一个电极,通过所述电极向所述被镀金属体供给预定电源。
13.一种利用具有支撑部和靶子的溅镀装置对RF设备进行镀金属的方法,包括:
通过所述支撑部向用于所述RF设备的被镀金属体供给第一电压且向所述靶子供给预定电力;以及
向所述被镀金属体供给所述第一电压并经过预定时间后,向所述被镀金属体供给第二电压。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述第二电压比所述第一电压低,在整个工序时间中一半时间向所述被镀金属体供给所述第一电压,剩余一半时间向所述被镀金属体供给所述第二电压。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述RF设备为腔体滤波器,从所述靶子分离的镀金属物质沉积在所述腔体内的底面和侧面,
其中,所述底面以及所述侧面的最大厚度偏差为3倍以下,所述靶子由银或者铜形成,并且所述靶子为圆柱形或者五角以上的多角形。
16.根据权利要求13所述的方法,其中,采用多个靶子,并且向所述多个靶子供给相同的电力。
17.根据权利要求13所述的方法,其中,所述靶子或者所述被镀金属体上下摇摆,所述支撑部具有与所述被镀金属体的侧面相对应的弯曲部,
其中,所述弯曲部形成有至少一个电极,通过所述电极向所述被镀金属体供给预定电源。
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