[发明专利]保护芯片级封装的T型接触免受潮

说明书

技术领域

本发明涉及保护芯片级封装的T型接触的方法。

背景技术

将芯片级封装用于形成基本上具有与半导体芯片相同的尺寸的外壳。CSP的应用之一为互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片的封装。在为图像传感器芯片的一部分的硅基板的前表面处形成可以由CMOS装置形成的图像传感器。对于硅基板进行背侧研磨直到硅基板的厚度薄到足以允许光从背侧穿过硅基板以到达图像传感器。

在图像传感器芯片的封装中，为了保护图像传感器芯片，将玻璃粘结至图像传感器芯片的背侧，而同时允许光到达图像传感器。通过T型接触来制作图像传感器的电连接，其中，将在硅基板的上方并且电连接至图像传感器的铝焊盘连接至金属线，其中，在各个封装结构的侧壁上形成该金属线。

在切割开包括图像传感器芯片的晶圆以前，进行图像传感器芯片的封装。在形成球栅阵列(BGA)球以连接至T型接触以后，切割开生成的封装结构以分离图形传感器芯片。然而，由于封装需要切割开铝焊盘，所以铝焊盘的边缘暴露在开放空间中，并且经受水分侵袭。这可能导致各个铝焊盘剥落。另外，由于在图像传感器芯片中的硅基板可以以例如2μm的非常小的厚度接地，所以通过铝腐蚀所导致的铝焊盘的膨胀还会导致硅基板的破裂，并且因此，导致破裂的封装结构故障。

发明内容

针对现有技术的缺陷，本发明提供了一种方法，包括：进行在封装结构上的第一芯片切割，所述封装结构包括装置晶圆以及粘附至所述装置晶圆的载具晶圆，其中，所述第一芯片切割形成在所述封装结构中的第一沟槽，并且其中，所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘的侧边缘暴露于所述第一沟槽下，所述装置晶圆包括第一芯片以及第二芯片，其中所述第一芯片包括第一接触焊盘；所述第二芯片包括第二接触焊盘；形成第一金属引线和第二金属引线，所述第一金属引线和所述第二金属引线延伸入所述第一沟槽中并且分别与所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘的侧边缘接触，其中，通过连接金属部件相互连接所述第一金属引线和所述第二金属引线；进行预切割，切割所述连接金属部件以分离所述第一金属引线和所述第二引线，其中，在所述预切割以后，所述连接金属部件的剩余部分包括边缘；形成在所述第一金属引线和所述第二金属引线上方的第一电介质涂层；以及进行第二芯片切割以将所述封装结构切割开，其中，将所述第一芯片和所述第二芯片分别分入第一部分和第二部分，并且其中，在所述第一部分和所述第二部分中，通过所述第一电介质涂层的剩余部来覆盖所述连接金属部件的所述剩余部分的所述边缘。

根据本发明所述的方法，其中，所述封装结构进一步包括：透明晶圆；以及坝体，将所述透明晶圆连接至所述装置晶圆，其中，所述第一沟槽延伸入所述坝体中。

根据本发明所述的方法，其中，在所述预切割中，切割所述透明晶圆的顶部，并且没有切割所述透明晶圆的下部。

根据本发明所述的方法，进一步包括在形成所述第一金属引线和所述第二金属引线的所述步骤以前：进行蚀刻以在所述载具晶圆和所述装置晶圆中形成第二沟槽，其中，所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘的顶面暴露于所述第二沟槽；以及形成延伸入所述第二沟槽中的第二电介质涂层，其中，在所述第一芯片切割中去除所述第二电介质涂层的一部分，并且其中，所述第一金属引线和所述第二金属引线形成在所述第二电介质涂层的上方，并且与所述第二电介质涂层接触。

根据本发明所述的方法，其中，所述第二电介质涂层包括焊料掩模。

根据本发明所述的方法，其中，所述预切割形成的沟槽的宽度小于所述第二芯片切割的宽度。

根据本发明所述的方法，其中，所述第一电介质涂层包括焊料掩模。