[发明专利]保护芯片级封装的T型接触免受潮

权利要求书

1.一种方法，包括：

进行在封装结构上的第一芯片切割，所述封装结构包括：

器件晶圆，包括：

第一芯片，其中，所述第一芯片包括第一接触焊盘；以及

第二芯片，包括第二接触焊盘；以及

附接至所述装置晶圆的载具晶圆，其中，所述第一芯片切割形成在所述封装结构中的第一沟槽，并且其中，所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘的侧边缘暴露于所述第一沟槽下；

形成第一金属引线和第二金属引线，所述第一金属引线和所述第二金属引线延伸入所述第一沟槽中并且分别与所述第一接触垫焊盘和所述第二接触垫焊盘的侧边缘接触，其中，通过连接金属部件相互连接所述第一金属引线和所述第二金属引线；

进行预切割，切割所述连接金属部件以分离所述第一金属引线和所述第二引线，其中，在所述预切割以后，所述连接金属部件的剩余部分包括边缘；

形成在所述第一金属引线和所述第二金属引线上方的第一电介质涂层；以及

进行第二芯片切割以将所述封装结构切割开，其中，将所述第一芯片和所述第二芯片分别分成第一部分和第二部分，并且其中，在所述第一部分和所述第二部分中，通过所述第一电介质涂层的剩余部来覆盖所述连接金属部件的所述剩余部分的所述边缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述封装结构进一步包括：

透明晶圆；以及

坝体，将所述透明晶圆连接至所述装置晶圆，其中，所述第一沟槽延伸入所述坝体中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述预切割中，切割所述透明晶圆的顶部，并不切割所述透明晶圆的下部。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述第一金属引线和所述第二金属引线的所述步骤之前：

进行蚀刻以在所述载具晶圆和所述装置晶圆中形成第二沟槽，其中，所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘的顶面暴露于所述第二沟槽；以及

形成延伸入所述第二沟槽中的第二电介质涂层，其中，在所述第一芯片切割中去除所述第二电介质涂层的一部分，并且其中，所述第一金属引线和所述第二金属引线形成在所述第二电介质涂层的上方，并且与所述第二电介质涂层接触。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二电介质涂层包括焊料掩模。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预切割形成的沟槽的宽度小于所述第二芯片切割的宽度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介质涂层包括焊料掩模。

8.一种方法，包括：

提供封装结构，所述封装结构包括：

装置晶圆，包括多个装置芯片、和在所述装置晶圆之间的划片槽；

载具晶圆，在所述装置晶圆的顶部侧面的上方，并且接合至所述装置晶圆的所述顶部侧面；

玻璃晶圆，在所述装置晶圆的下方；以及

坝体，将所述装置晶圆的底部侧面接合至所述玻璃晶圆，其中，

所述坝体与划片槽重叠，但是与所述多个装置芯片的中心区域不重叠；

形成在所述载具晶圆和所述装置晶圆中的第一沟槽直到露出在所述装置晶圆中的接触焊盘；

形成第一电介质涂层以延伸入所述第一沟槽中；

进行第一芯片切割以切割所述第一电介质涂层和所述装置晶圆的所述划片槽，其中，在所述第一芯片切割以后露出所述接触焊盘的侧边缘；

形成在所述第一介质涂层的剩余部上方的金属引线并且将所述金属引线与所述接触焊盘的所述侧边缘接触；

进行预切割以切割金属引线的连接部分，其中，所述每个连接部分与两条所述金属引线相互连接；

形成第二电介质涂层以覆盖所述金属引线；以及

进行第二晶圆切割以将所述封装结构分成独立部分，其中，在所述独立件中的所述金属引线的剩余部份没有暴露。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述金属引线的所述步骤包括：

覆盖形成金属层；以及

进行所述金属层的图案化以形成所述金属引线。

10.一种装置，包括：

装置芯片：包括集成电路和接触焊盘；

载具芯片，在所述装置芯片的顶部侧面的上方并且与所述装置芯片的顶部侧面接合；

第一电介质涂层，在所述载具芯片的侧壁上；

金属引线，在所述第一电介质涂层的上方并且与所述第一介质涂层接触，其中，所述金属引线与所述接触焊盘的侧边缘接触以形成T型接触，并且其中，所述金属引线延伸至所述载具芯片和所述装置芯片的正上方；以及

第二电介质涂层，在所述金属引线的上方并且与所述金属引线接触，其中，覆盖所述金属引线的所有边缘，并且其中，没有透过所述第二电介质涂层露出所述金属引线的边缘。