[发明专利]一种低应力钽氮薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种低应力钽氮薄膜的制备方法，包括：

将钽靶与待沉积晶圆分别放置于制备设备的阴极和阳极；

采用PVD沉积技术，通入氩气和氮气，在待沉积晶圆和钽靶之间施加直流 电压信号，并在所述待沉积晶圆的背面附加第一交流电压信号，以在所述晶圆 表面沉积钽氮薄膜；

采用物理反刻蚀法，通入氩气，在所述晶圆上方施加交流离化源信号，并 在所述待沉积晶圆的背面附加第二交流电压信号，对所述钽氮薄膜进行刻蚀， 以形成厚度均匀的低应力钽氮薄膜。

2.如权利要求1所述的低应力钽氮薄膜的制备方法，其特征在于，在沉积所 述钽氮薄膜的步骤中，所述氩气的流量为10～40毫升/分钟，所述氮气的流量为 100～200毫升/分钟。

3.如权利要求1所述的低应力钽氮薄膜的制备方法，其特征在于，在沉积所 述钽氮薄膜的步骤中，所述直流电压信号的功率为1000～3000瓦，所述第一交 流电压信号的功率为200～500瓦。

4.如权利要求1所述的低应力钽氮薄膜的制备方法，其特征在于，在对所述 钽氮薄膜进行刻蚀的步骤中，所述氩气的流量为30～60毫升/分钟。

5.如权利要求1所述的低应力钽氮薄膜的制备方法，其特征在于，在对所述 钽氮薄膜进行刻蚀的步骤中，所述交流离化源信号的功率为500～1500瓦，所述 第二交流电压信号的功率为200～500瓦。

6.如权利要求1所述的低应力钽氮薄膜的制备方法，其特征在于，在对所述 钽氮薄膜进行刻蚀的步骤之后，所述低应力钽氮薄膜的应力小于600MPa。

7.如权利要求1所述的低应力钽氮薄膜的制备方法，其特征在于，在对所述 钽氮薄膜进行刻蚀的步骤之后，所述低应力钽氮薄膜的厚度为150～500埃。

8.如权利要求1所述的低应力钽氮薄膜的制备方法，其特征在于，所述低应 力钽氮薄膜作为高介电常数介质/金属栅极技术中Gate-first工艺集成方案的栅电 极。