[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成沟道连接层和包围所述沟道连接层的隔离层；

在所述沟道连接层和所述隔离层之上形成具有与栅电极层交替层叠的层间电介质层的层叠结构；以及

形成贯穿所述层叠结构与所述沟道连接层连接的一对沟道，以及插入在所述沟道与所述层叠结构之间的存储层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成沟道连接层和隔离层的步骤包括以下步骤：

在所述衬底之上形成用于形成所述沟道连接层的导电材料层；

选择性地刻蚀所述导电材料层以形成所述沟道连接层；以及

在未形成所述沟道连接层的空间中填充绝缘材料以形成所述隔离层。

3.如权利要求1所述的方法，其中，形成沟道连接层和隔离层的步骤包括以下步骤：

在所述衬底之上形成用于形成所述隔离层的绝缘层；

选择性地刻蚀所述绝缘层以形成所述隔离层；以及

形成填充在未形成所述隔离层的空间中的所述沟道连接层。

4.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在所述衬底之上形成第一缓冲层，

其中，所述沟道连接层和所述隔离层形成在所述第一缓冲层之上。

5.如权利要求4所述的方法，还包括以下步骤：

在所述沟道连接层和所述隔离层之上形成第二缓冲层，

其中，所述层叠结构形成在所述第二缓冲层之上。

6.如权利要求1所述的方法，其中，最上方的栅电极层形成选择晶体管，而其余的栅电极层形成存储器单元。

7.如权利要求1所述的方法，在形成所述沟道和所述存储层之后还包括以下步骤：

刻蚀所述一对沟道之间的层叠结构以使所述栅电极层在所述一对沟道之间彼此隔离。

8.如权利要求7所述的方法，在将所述层叠结构刻蚀预定深度之后还包括以下步骤：

通过执行硅化工艺使所述栅电极层的侧壁硅化。

9.如权利要求1所述的方法，在形成所述沟道和所述存储层之后还包括以下步骤：

形成与所述一对沟道中的一个连接的源极线和与所述一对沟道中的另一个连接的位线，

其中，所述源极线和所述位线设置在所述一对沟道上。

10.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

形成外围电路栅，所述外围电路栅由与所述沟道连接层的材料实质相似的材料形成，并且位于与所述沟道连接层相同的层中，

其中，形成外围电路栅的步骤与形成沟道连接层的步骤同时执行。

11.一种非易失性存储器件，包括：

沟道连接层，所述沟道连接层设置在衬底之上；

隔离层，所述隔离层设置在所述衬底之上以包围所述沟道连接层；

层叠结构，所述层叠结构设置在所述沟道连接层和所述隔离层之上，并具有与栅电极层交替层叠的层间电介质层；

一对沟道，所述一对沟道贯穿所述层叠结构与所述沟道连接层连接；以及

存储层，所述存储层插入在所述沟道与所述层叠结构之间。

12.如权利要求11所述的非易失性存储器件，还包括：

第一缓冲层，所述第一缓冲层插入在所述衬底与所述沟道连接层以及所述隔离层之间。

13.如权利要求11所述的非易失性存储器件，还包括：

第二缓冲层，所述第二缓冲层插入在所述沟道连接层以及所述隔离层与所述层叠结构之间。

14.如权利要求11所述的非易失性存储器件，其中，最上方的栅电极层形成选择晶体管，而其余的栅电极层形成存储器单元。

15.如权利要求11所述的非易失性存储器件，其中，所述层叠结构包括：

沟槽，所述沟槽设置在所述一对沟道之间，

其中，所述栅电极层通过所述沟槽彼此隔离。

16.如权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，所述栅电极层的与所述沟槽相接触的侧壁包括硅化物材料。