[发明专利]一种提高PCB基板半导体封装可靠性的工艺无效
| 申请号： | 201110325233.5 | 申请日： | 2011-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103065982A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 无锡世一电力机械设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 杨晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 pcb 半导体 封装 可靠性 工艺 | ||
1.一种提高PCB基板半导体封装可靠性的工艺，其特征在于：对PCB基板封装区域需要处理的部分进行等离子处理，然后对PCB基板封装区域，连接导线，芯片需要加强的表面均匀施用助粘剂溶液，所述助粘剂中含有两种活性成分，分别是钛酸酯偶联剂与硅烷偶联剂；常温挥发风干或者烘干溶剂，剩余混合活性成分涂层厚度控制在4-110nm厚度，然后进行后道封装工序。
2.根据权利要求1所述的提高PCB基板半导体封装可靠性的工艺，其特征在于：使用氮气对待处理材料进行等离子处理，然后使用助粘剂进行处理，所述助粘剂中的活性成分为单烷氧基脂肪酸钛酸酯与甲基丙烯酰氧基硅烷，两者重量百分比为95∶5-99∶1。
3.根据权利要求2所述的提高PCB基板半导体封装可靠性的工艺，其特征在于：在使用氮气处理前，先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，然后使用助粘剂进行处理，所述助粘剂中的活性成分为单烷氧基脂肪酸钛酸酯与甲基丙烯酰氧基硅烷，两者重量百分比为98∶2-99.5∶0.5。
4.根据权利要求2所述的提高PCB基板半导体封装可靠性的工艺，其特征在于：在使用氮气处理前，先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，然后使用助粘剂进行处理，所述助粘剂中的活性成分为单烷氧基脂肪酸钛酸酯与甲基丙烯酰氧基硅烷，两者重量百分比为98∶2-99.5∶0.5。
5.根据权利要求4所述的提高PCB基板半导体封装可靠性的工艺，其特征在于：PCB基板封装区域需要处理的部分放置在等离子体入射范围下，抽真空使得腔体内真空度小于0.15托，射频发生器发出高频波，使腔体内的氩气成为等离子体，在电场的驱动下撞击腔内待处理材料的表面，射频波功率600+/-100瓦，作用时间20+/-10秒，氩气的流量20+/-10标准立方厘米，待氩气处理步骤完成后，再通入氮气，氮气作用时，射频波功率400+/-100瓦，作用时间45+/-15秒，氮气的流量20+/-15标准立方厘米，然后使用助粘剂进行处理，所述助粘剂中的活性成分为单烷氧基焦磷酸酯型偶联剂与氨基硅烷，两者重量百分比为97.5∶2.5-99.8∶0.2。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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