[发明专利]一种预防多晶硅层图形倒塌的方法无效
| 申请号： | 201110322337.0 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102446746A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王剑;毛智彪;戴韫青 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/312 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 预防 多晶 图形 倒塌 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一包含有有源区和浅沟槽隔离区的衬底上淀积多晶硅层，该多晶硅层覆盖有源区和浅沟槽隔离区；
步骤S2：于多晶硅层上制备平坦化层。
2.根据权利要求1所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，还包括步骤S3：涂布防反射层覆盖平坦化层后，继续光刻工艺。
3.根据权利要求1所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，步骤S2中采用光阻涂布机喷涂形成平坦化层。
4.根据权利要求1或3所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，平坦化层的材质为具有较高平坦化的有机聚合物。
5.根据权利要求1或3所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，平坦化层的厚度至少为50nm。
6.根据权利要求1或3所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，平坦化层的上表面在同一水平面上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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