[发明专利]甲基磺酸水溶液脱胶工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种单、多晶硅片的脱胶工艺，尤其涉及一种采用甲基磺酸水溶液对单、多晶硅片进行脱胶的工艺。

背景技术

单晶硅和多晶硅在太阳能电池领域发挥着重要作用，生产过程中，需要将硅材料进行多线切割，首先将单晶硅棒或者多晶硅锭通过环氧树脂胶粘接在玻璃板或树脂板基材上，待单晶硅棒或者多晶硅锭切割完成后，通过专用工具将切割夹具、切割基材和完成切割的硅片一起转移至脱胶机内进行冲洗和脱胶，一般分为三个步骤：冲洗、超声洗和酸浸泡脱胶，在酸浸泡过程中存在下述缺点：(一)、硅片不能充分脱离，脱胶时间较长，当配制的乳酸浓度为10％～60％，温度为30℃～75℃的条件下浸泡时间为200～600秒，时间相对较长；(二)、胶条过分脱离，胶条脱落后夹在硅片中间，难以清理；(三)、乳酸脱胶或者柠檬酸脱胶过程中均会产生刺激性气味；(四)、脱胶成本较高，以DS271机型为例，单刀去胶用乳酸约2.0kg，成本约为20～25元，成本相对较高。

发明内容

本发明的目的在于解决上述问题，提供一种甲基磺酸水溶液脱胶工艺，其在酸浸泡过程中采用甲基磺酸水溶液，具有能够缩短脱胶时间、硅片脱离充分、无刺激性气味的气体产生、成本更低的优点。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现：

一种甲基磺酸水溶液脱胶工艺，包括如下步骤：a、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量的水，设定加热温度，打开开关进行加热；b、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量配制好浓度的甲基磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的硅片与切割基板一并放入酸浸泡槽中浸泡一段时间；d、将切割基板通过专用工具升起，将少量未脱落的硅片取下。

所述的步骤a中，设定的加热温度一般不超过70℃。

所述的步骤c中，浸泡时间为100～400秒。

所述脱胶机酸浸泡槽中加入的甲基磺酸浓度为1％时，其加热温度设定为60℃，浸泡时间为300秒。

所述脱胶机酸浸泡槽中加入的甲基磺酸浓度为10％时，其加热温度设定为55℃，浸泡时间为200秒。

所述脱胶机酸浸泡槽中加入的甲基磺酸浓度为99％时，其加热温度设定为40℃，浸泡时间为150秒。

本发明的有益效果为：该工艺采用浓度为1％～99％甲基磺酸水溶液，脱胶时间为100～400秒，硅片脱落比例均大于90％，在150～200升的甲基磺酸水溶液槽中进行脱胶，8寸多晶片可连续脱胶30000～40000片，6寸单晶片可连续脱胶30000～60000片，8寸单晶片可连续脱胶30000～50000片，对比现有技术，该工艺具有能够缩短脱胶时间、硅片脱离充分、无刺激性气味的气体产生、成本更低的优点。

附图说明

下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

图1为本发明所述的脱胶过程的状态示意图；

图2为图1中所示的基板与硅片的粘接示意图。

图中：

1、硅片；2、基板。

具体实施方式

如图1～2所示，于实施例1中，本发明所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，包括如下步骤：a、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量的水，设定加热温度为60℃，打开开关进行加热；b、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量浓度为1％的甲基磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的硅片1与切割基板2一并放入酸浸泡槽中浸泡300秒；d、将基板2通过专用工具升起，将少量未脱落的硅片1取下，硅片1脱落比例大于90％。

于实施例2中，本发明所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，包括如下步骤：a、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量的水，设定加热温度为55℃，打开开关进行加热；b、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量浓度为10％的甲基磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的硅片1与切割基板2一并放入酸浸泡槽中浸泡200秒；d、将基板2通过专用工具升起，将少量未脱落的硅片1取下，硅片1脱落比例大于90％。

于实施例3中，本发明所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，包括如下步骤：a、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量的水，设定加热温度为40℃，打开开关进行加热；b、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量浓度为99％的甲基磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的硅片1与切割基板2一并放入酸浸泡槽中浸泡150秒；d、将基板2通过专用工具升起，将少量未脱落的硅片1取下，硅片1脱落比例大于90％。