[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

MOS型场效应晶体管，形成在半导体基板上并且具有设定为预定杂质浓度的第一栅极电极；以及

电荷调制器件，形成在该半导体基板上并且具有设定为预定杂质浓度的第二栅极电极，该第二栅极电极的杂质浓度低于该第一栅极电极的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

该第一栅极电极的杂质浓度设定为使得产生在该第一栅极电极与第一栅极绝缘膜之间的界面处的第一耗尽层的电容不超过预定值，该第一栅极绝缘膜形成在该第一栅极电极与该半导体基板之间；并且

该第二栅极电极的杂质浓度设定为使得产生在该第二栅极电极与第二栅极绝缘膜之间的界面处的第二耗尽层的电容超过该第一耗尽层的电容，该第二栅极绝缘膜形成在该第二栅极电极与该半导体基板之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

该半导体基板具有像素区域和电路区域，该像素区域具有设置在其中的像素，该电路区域包括用于驱动该像素的驱动电路；

该电荷调制器件形成为该像素；并且

该MOS型场效应晶体管形成在该电路区域中。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中对该第一栅极电极掺杂的杂质与对该第二栅极电极掺杂的杂质为相同的物质。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极电极和该第二栅极电极由相同的电极材料层形成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中形成在该第一栅极电极与该半导体基板之间的第一栅极绝缘膜和形成在该第二栅极电极与该半导体基板之间的第二栅极绝缘膜由相同的绝缘膜材料层形成。

7.一种制造半导体装置的方法，包括：

以杂质掺杂由栅极电极的材料形成的电极材料层，该电极材料层形成在半导体基板上，该半导体基板具有包括MOS型场效应晶体管的第一区域和包括电荷调制器件的第二区域，该掺杂采用的剂量与该电荷调制器件的栅极电极所设定的第一杂质浓度相关联；

采用掩盖该第二区域被而不掩盖该第一区域的掩模图案形成掩模；以及

以如此形成的该掩模用该杂质掺杂该电极材料层，该掺杂采用的剂量对应于该第一杂质浓度与该MOS型场效应晶体管的该栅极电极所设定的第二杂质浓度之间的差值。