[发明专利]基板处理系统和基板输送方法有效
| 申请号: | 201110319489.5 | 申请日: | 2011-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN102446792A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
| 发明(设计)人: | 天野健次;远藤健一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 系统 输送 方法 | ||
技术领域
本发明涉及对显示面板用的基板进行处理的基板处理系统和该基板处理系统的基板输送方法。
背景技术
对于用于平板显示器等的玻璃基板,为了在该玻璃基板上构成微细的配线等,而实施等离子蚀刻法处理。通常,对于玻璃基板的等离子蚀刻法处理在基板处理系统中实施。
在用于第六代的平板显示器的玻璃基板实施等离子蚀刻法处理的基板处理系统,具备处理腔(处理室)和对该处理腔进行玻璃基板的搬出搬入的负载锁定模块。在该基板处理系统中,在处理腔内,采用使用了与在基板载置台上使玻璃基板上升或者下降的第一升降销不同的第二升降销的基板更换方式,第二升降销在多处保持玻璃基板的端部来使该玻璃基板上升或者下降,因此,能使实施玻璃基板的搬出搬入的负载锁定模块内的输送臂的结构简化,具体而言可以是单臂型或上下无旋转轴型的省空间且简易的结构,由此,能兼顾装置的制造成本和平板显示器的生产性。
可是,在对第七代以后的平板显示器实施等离子蚀刻法处理的基板处理系统中,由于玻璃基板的大小的大型化,在使用限制基板支承位置的第二升降销的基板更换的时候,第二升降销不能保持玻璃基板的适当的地方,可能会使玻璃基板的弯曲变得过大,并由于基板破裂而不能输送。因此,与此对应,现状是废除第二升降销,而采用双臂型的输送臂作为负载锁定模块内的输送臂,通过由该输送臂实施基板更换,来防止玻璃基板的弯曲的发生。
图11是概略表示在第七代以后的平板显示器实施等离子蚀刻法处理的基板处理系统的结构的立体图。
在图11中,该基板处理系统110具备使收纳于盒113的未处理的玻璃基板通过大气系输送臂114向转移模块112输送的负载锁定模块115。该负载锁定模块115使处理完成的玻璃基板从转移模块112通过大气系输送臂114向盒116输送。由于处理腔111和转移模块112的内部状态维持为大致真空,所以负载锁定模块115构成为能使内部状态在大气和真空之间切换(例如,参照专利文献1)。
此外,在基板处理系统110的转移模块112的内部配置有作为基板输送单元的阶梯(scalar)型或直动型的输送臂(未图示),该输送臂在转移模块112的内部以载置玻璃基板的状态旋转。因而,需要使转移模块112的内部容积较大。
在开始制造的第十代的平板显示器中使用的玻璃基板,由于呈一边约不足3m的长方形,所以需要进一步使转移模块112的内部容积变大,其结果是,使转移模块112巨大化。此外,在基板处理系统110中在转移模块112和负载锁定模块115之间配置有可断绝真空的闸阀117,但是该闸阀117也随着转移模块112的巨大化而巨大化,因此产生转移模块112和闸阀117的制造成本上升的问题。
对于即将开始制造的第十一代的平板显示器中使用的玻璃基板(呈一边约超3m的长方形),上述的转移模块112等的制造成本的上升更加显著。于是,为了削减转移模块112等制造成本,研究出基板处理系统120,该基板处理系统120如图12所示,具备一个处理腔121和与该处理腔121连接的一个负载锁定模块122,并具有与处理第六代的平板显示器中使用的玻璃基板的基板处理系统相似的结构。
可是,基板处理系统120只具备一个处理腔121,所以在负载锁定模块122实施玻璃基板的搬出搬入时,不能在其他的玻璃基板上实施等离子蚀刻法处理。因而,为了提高平板显示器的制造效率,需要通过负载锁定模块122在短时间实施玻璃基板的搬出搬入。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-208235号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,在使用一般的阶梯型或直动式的双臂型的输送臂作为负载锁定模块122具备的基板输送单元的时候,由于需要在负载锁定模块122的内部确保该输送臂的可动作区域,所以需要使负载锁定模块122的内部容积较大。另一方面,由于需要负载锁定模块122构成为内部状态可在大气与真空之间切换,所以负载锁定模块122的内部容积较大时,在玻璃基板的搬出搬入时的内部状态的大气与真空的切换中需要时间,结果是,存在不能提高平板显示器的制造效率的问题。
本发明的目的是提供能提高基板的处理效率的基板处理系统和基板输送方法。
解决问题的方法
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





