[发明专利]鳍式晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，包括：

提供硅衬底，所述硅衬底包括第二部分和位于第二部分上的第一部分；

在所述第一部分的部分区域形成锗硅，所述锗硅的厚度与所述第一部分的厚度相同；

形成锗硅后，在所述第一部分和锗硅上形成绝缘层；

提供基底，将所述基底与所述绝缘层结合；

去除所述第二部分；

刻蚀所述锗硅形成第一鳍部，刻蚀所述第一部分形成第二鳍部；

在所述第一鳍部上形成第一栅极结构，在所述第二鳍部上形成第二栅极结构。

2.如权利要求1所述的形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，在所述第一部分的部分区域形成锗硅包括：

在所述第一部分上形成图形化的掩膜层，定义出锗硅区域；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一部分形成开口，所述开口底部暴露出所述第二部分；

在所述开口内形成锗硅，所述锗硅的上表面与所述第一部分的上表面相平。

3.如权利要求2所述的形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，在所述开口内形成锗硅的方法为外延生长法。

4.如权利要求3所述的形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，所述外延生长的工艺条件为：温度500℃～800℃，气压为1Torr～100Torr，使用的气体包括SiH₄、CH₄、CH₃Cl、CH₂Cl₂、GeH₄、B₂H₆、HCl、H₂，其中，SiH₄、CH₄、CH₃Cl、CH₂Cl₂、GeH₄、B₂H₆、HCl的流量均为1sccm～1000sccm，H₂的流量为0.1slm～50slm；或者，使用的气体包括SiH₂Cl₂、CH₄、CH₃Cl、CH₂Cl₂、GeH₄、B₂H₆、HCl、H₂，其中，SiH₂Cl₂、CH₄、CH₃Cl、CH₂Cl₂、GeH₄、B₂H₆、HCl的流量均为1sccm～1000sccm，H₂的流量为0.1slm～50slm。

5.如权利要求4所述的形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，在所述外延生长法形成锗硅之前，还包括：在H₂氛围内对所述硅衬底进行烘焙，温度范围为600℃～900℃。

6.如权利要求2所述的形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，所述图形化的掩膜层的材料为氧化硅。

7.如权利要求1所述的形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，所述去除所述第二部分包括：

对形成有绝缘层的硅衬底进行H⁺或He⁺离子注入，所述离子注入的深度为所述第二部分的厚度；

对所述离子注入后的硅衬底进行第一退火，使所述硅衬底的第二部分与所述第一部分剥离，所述第一退火的温度为400～600℃。

8.如权利要求7所述的形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，所述H⁺或He⁺离子注入的注入剂量为：2E16～2E17cm^-2，离子注入的能量为：10Kev～140kev。

9.如权利要求7所述的形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，第一退火后，形成第一鳍部和第二鳍部之前，还包括：在氮气氛围中对所述第一部分、锗硅、绝缘层和基底进行第二退火，所述第二退火的温度为900～1000℃。