[发明专利]一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件的化学开封方法及所用腐蚀液的配制方法无效
申请号: | 201110318209.9 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN102509693A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 雷承望;杨杰 | 申请(专利权)人: | 广东步步高电子工业有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C09K13/04 |
代理公司: | 中山市汉通知识产权代理事务所 44255 | 代理人: | 田子荣 |
地址: | 523850 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 作为 连接线 塑封 电子元器件 化学 开封 方法 所用 腐蚀 配制 | ||
技术领域:
本发明涉及一种塑封电子元器件化学开封方法,尤其是一种采用铝线连接的塑封电子元器件的化学开封方法。
背景技术:
电子器件中有一类我们称之为塑封器件,即器件的外部是用一种塑胶材料来包裹里面的连接电路,这种塑胶材料主要是环氧树脂中掺杂二氧化硅。这种器件在进行失效分析时,需要将外部的这层塑胶用化学方法腐蚀掉,从而露出内部的电路来做分析。
目前塑封电子器件内部最普遍的连接方式是用金线作电路连接线,用来开封这类器件已经有比较成熟的化学腐蚀方法,行业内通常是采用质量分数≥95%的发烟硝酸作为腐蚀剂,腐蚀温度70℃;也有用质量分数≥95%的发烟硝酸和质量分数为98%的浓硫酸的混合溶液作为腐蚀剂,它们的体积比大概是4∶1~5∶1,温度在90℃左右。
但是电子器件中有用铝线来连接电路的,针对这种器件的化学腐蚀开封,用以上腐蚀方法,容易将铝线腐蚀,且行业内还没有很成熟的关于这种器件的化学腐蚀方法。
发明目的:
本发明的目的是提供一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件的化学开封方法,实现电子元器件的有效开封,保证电子元器件内部芯片表面整洁和铝连接线的完整。
本发明的另一个目的是提供一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件化学开封所用腐蚀液的配制方法。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件的化学开封方法,其特征在于包括如下步骤:准备样品、用腐蚀液腐蚀样品、用清洗剂清洗样品,其中所述腐蚀液的配制方法为:将质量分数为98%的浓硫酸倒入耐酸耐高温容器,然后对耐酸耐高温容器进行加热制得,加热温度为180℃~250℃。
上述所述加热温度为230℃。
上述所述用清洗剂清洗样品步骤为:先用丙酮清洗再用去离子水清洗。
一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件化学开封所用腐蚀液的配制方法,其特征在于包括如下步骤:将质量分数为98%的浓硫酸倒入耐酸耐高温容器,然后对耐酸耐高温容器进行加热制得,加热温度为180℃~250℃。
本发明与现有技术相比,具有如下优点:实现对采用铝线作连接线的失效电子元器件的有效开封,保证电子元器件内部芯片表面整洁和铝连接线的完整。
具体实施方式:
一、手动开封流程
1、样品准备:
将需要开封的样品用锡箔纸包住,露出需要腐蚀的位置(开封时通常不需要将整个器件外部的塑封胶都腐蚀掉,只需要腐蚀局部区域)。
2、腐蚀液配制:
用玻璃棒引流缓慢向烧杯中倒入5ml质量分数为98%浓硫酸,再将烧杯放在加热板上并将温度调至230℃。
3、样品腐蚀:
待加热板温度升至设置温度,继续等待2min保证腐蚀液温度达到要求,用镊子夹住样品边缘不需腐蚀的位置,另一只手用胶头滴管汲取热的腐蚀液滴到样品需腐蚀的位置,注意用镊子将样品放到烧杯口的正上方,使加到样品上的腐蚀液继续回流到烧杯中循环使用;肉眼随时观察样品腐蚀状况,一旦塑封胶腐蚀到使里面的芯片及连接线完全暴露出来,则立即停止加酸到样品上。
4、清洗:
腐蚀停止后,立即用另一支胶头滴管汲取准备好的丙酮滴到被腐蚀的部位进行清洗,然后用去离子水清洗,如果这样清洗效果不佳,则用50ml烧杯盛装约2-3ml丙酮,将腐蚀后的样品放入丙酮中,再将烧杯放在超声波清洗机中进行清洗。
清洗后可以直接对样品进行观察和测量分析。
二.开封机自动开封流程
使用设备:生产厂家-NISENE,型号-JetEtch II
1、样品准备
将样品放到设备蚀刻头上,样品需要开封的位置对准设备蚀刻头开口处。
2、参数设置:
蚀刻温度:蚀刻过程需要的温度,设置为230℃;
蚀刻时间:蚀刻头往外喷热酸的时间;蚀刻时间取决于样品外部塑封胶的厚度及需腐蚀的面积,蚀刻时间因样品而定;
预热时间:蚀刻头达到设置温度后对样品的加热时间,一般设置50s;(此过程蚀刻头不出酸,预热时间结束即开始计算蚀刻时间。)
腐蚀液的配比:腐蚀液仅为质量分数98%的浓硫酸。
腐蚀液的流量:在蚀刻过程中,混合酸按每分钟多少毫升从蚀刻头喷出,通常设置为3~4ml/min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造