[发明专利]一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件的化学开封方法及所用腐蚀液的配制方法无效
| 申请号： | 201110318209.9 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102509693A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 雷承望;杨杰 | 申请（专利权）人： | 广东步步高电子工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C09K13/04 |
| 代理公司： | 中山市汉通知识产权代理事务所 44255 | 代理人： | 田子荣 |
| 地址： | 523850 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 作为 连接线 塑封 电子元器件 化学 开封 方法 所用 腐蚀 配制 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件的化学开封方法，其特征在于包括如下步骤：准备样品、用腐蚀液腐蚀样品、用清洗剂清洗样品，其中所述腐蚀液的配制方法为：将质量分数为98％的浓硫酸倒入耐酸耐高温容器，然后对耐酸耐高温容器进行加热制得，加热温度为180℃～250℃。
2.根据权利要求1所述的一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件的化学开封方法，其特征在于：所述加热温度为230℃。
3.根据权利要求2所述的一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件的化学开封方法，其特征在于：所述用清洗剂清洗样品步骤为：先用丙酮清洗再用去离子水清洗。
4.一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件化学开封所用腐蚀液的配制方法，其特征在于包括如下步骤：将质量分数为98％的浓硫酸倒入耐酸耐高温容器，然后对耐酸耐高温容器进行加热制得，加热温度为180℃～250℃。
5.根据权利要求4所述的一种采用铝线作为连接线的塑封电子元器件化学开封所用腐蚀液的配制方法，其特征在于：所述加热温度为230℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
