[发明专利]用于电池功率控制的多芯片模块

权利要求书

1.一种电池保护多芯片模块，包括：

容纳在单个外壳中的集成单路芯片；

容纳在所述单个外壳中的功率器件芯片，它用于调节在所述多芯片模块的外部的电池的充电和放电，所述集成电路芯片和所述至少一个功率器件芯片形成电路的至少一部分；以及

其中从所述模块到所述电路的必要外部连接被限于四个引线。

2.一种多芯片模块，包括：

集成单路芯片；

第一功率晶体管；

第二功率晶体管；

第一连接结构，它将所述集成电路芯片电耦合到所述第一功率晶体管；

第二连接结构，它将所述集成电路芯片电耦合到所述第二功率晶体管；

引线框结构，它包括第一引线、第二引线、第三引线和第四引线，其中所述集成电路芯片、所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管被安装到所述引线框结构上；以及

模塑材料，它覆盖所述集成电路芯片、所述第一功率晶体管、所述第二功率晶体管、所述第一连接结构和所述第二连接结构的至少一部分，

其中所述第一引线提供到所述第一功率晶体管的电连接，而所述第二引线提供到所述第二功率晶体管的电连接，以及

其中所述第一和第二引线在所述多芯片模块的第一端处，而所述第三和第四引线在所述多芯片模块的第二端处。

3.如权利要求2所述的多芯片模块，其特征在于，所述引线框还包括测试引线和电耦合所述测试引线和所述集成电路芯片的接合结构，并且其中所述引线框结构中的所述引线仅包括所述测试引线和所述第一、第二、第三和第四引线。

4.如权利要求2所述的多芯片模块，其特征在于，所述多芯片模块具有细长形状和大于1的纵横比。

5.如权利要求2所述的多芯片模块，其特征在于，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管在单个功率芯片中，而所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管是垂直功率MOSFET。

6.如权利要求2所述的多芯片模块，其特征在于，所述第一和第二连接结构是导线，并且其中所述引线框结构包括第一管芯安装焊盘和第二管芯安装焊盘，所述集成电路芯片被安装到所述第一管芯安装焊盘上，且所述第一和第二功率晶体管存在于一个或多个芯片中，所述一个或多个芯片被安装在所述第二管芯安装焊盘上。

7.如权利要求6所述的多芯片模块，其特征在于，所述引线框结构还包括电耦合到所述集成电路芯片的测试引线。

8.如权利要求6所述的多芯片模块，其特征在于，引线框结构的外表面穿过所述模塑材料而曝露。

9.一种电组装件，包括：

电路板；以及

安装到所述电路板上的权利要求2所述的多芯片模块。

10.一种系统，包括：

权利要求9所述的电组装件；以及

电耦合到所述电组装件的可再充电电池。

11.一种方法，包括：

获得包括第一引线、第二引线、第三引线和第四引线的引线框结构；

将集成电路芯片安装到所述引线框结构；

将包括第一功率晶体管和第二功率晶体管的至少一个半导体芯片安装到所述引线框结构上；

将第一连接结构附连到所述集成电路芯片和所述第一功率晶体管；

将第二连接结构附连到所述集成电路芯片和所述第二功率晶体管；以及

在所述集成电路芯片、所述第一功率晶体管、所述第二功率晶体管、所述第一连接结构和所述第二连接结构的至少一部分的周围使材料模塑成形，由此形成多芯片模块，

其中所述第一引线提供到所述第一功率晶体管的电连接，而所述第二引线提供到所述第二功率晶体管的电连接，以及

其中所述第一和第二引线在所述多芯片模块的第一端处，而所述第三和第四引线在所述多芯片模块的第二端处。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述引线框结构还包括测试引线，并且其中所述方法还包括：

将第三连接结构附连到所述集成电路芯片和所述测试引线。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：

将所述多芯片模块安装到电路板。