[发明专利]一种用于传输管选择器的电平恢复器

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种高速电路的结构设计，是一种用于传输管选择器的电平恢复器。

背景技术

MOS传输管在传输高电平或低电平时会有阈值变化，对于单个NMOS管而言，传输高电平时，输出电压最大为vdd-vth；对于单个PMOS管而言，传输低电平时，输出电压最小为vth，对于下一级CMOS电路来说，当前级NMOS管传输高电平，或PMOS管传输低电平时，CMOS电路的PMOS管和NMOS管会同时处于导通状态，从而产生一个短路电流，这个短路电流增加了芯片的静态功耗。

现有解决办法的电平恢复器如图7的X72所示，该电路由一个反相器加一个PMOS上拉管组成(Jan M.Rabaey，AnanthaChandrakasan，Borivoje Nikolic，数字集成电路--设计透视，清华大学出版社.274-275.2004)，但后面需要加一个反相器X73(保证信号的逻辑不变)，为了确保选择器电路功能不会失效，上拉管一般做成倒比管，在选择器电路不工作时，通过电平恢复器可以使选择器输出端拉到高电平，但由于采用倒比管，上拉时间较长，从而产生功耗。但如果选择器的输出驱动为门电路，我们就需要在非传输路径上加上一个电平恢复器(如图8的X82所示)，增大面积的同时也会增大延时。

发明内容

本发明的目的是提出一种用于传输管选择器的电平恢复器，以克服现有技术的不足，其能够快速消除传输管输出电压的阈值变化，从而减小电路的延时。

为达到上述目的，本发明的技术解决方案是：

一种用于传输管选择器的电平恢复器，包括：一级或N级NMOS传输管组成的选择器电路；其还包括一个电平恢复器；电平恢复器，包括一个NMOS管和一个PMOS管，PMOS管的漏极接在选择器的输出端，源级接电源端vdd，NMOS管的漏级与PMOS管的栅极相接，NMOS管源级接电源端gnd，栅极接选择器的输出端。

所述的用于传输管选择器的电平恢复器，其所述电平恢复器中的NMOS管，在NMOS管本身的栅漏相连后，再与PMOS管的栅极相接，NMOS管源级接电源端gnd。

所述的用于传输管选择器的电平恢复器，其所述电平恢复器，包括一个NMOS管和两个PMOS管，第一PMOS管的漏极接在选择器的输出端，源级接电源端vdd，NMOS管本身的栅漏相连后，再与第一PMOS管的栅极相接，NMOS管源级接电源端gnd，第二PMOS管本身的栅漏相接后与NMOS管的栅极相连，第二PMOS管源级接电源端vdd。

一种用于传输管选择器的电平恢复器，包括：一级或N级PMOS传输管组成的选择器电路；其还包括一个电平恢复器；电平恢复器，包括一个NMOS管和一个PMOS管，NMOS管的漏极接在选择器的输出端，源级接电源端gnd，PMOS管的漏级与NMOS管的栅极相接，PMOS管源级接电源端vdd，栅极接选择器的输出端。

所述的用于传输管选择器的电平恢复器，其所述电平恢复器中的PMOS管，在PMOS管本身的栅漏相连后，再与NMOS管的栅极相接，PMOS管源级接电源端vdd。

所述的用于传输管选择器的电平恢复器，其所述电平恢复器，包括两个NMOS管和一个PMOS管，第一NMOS管的漏极接在选择器的输出端，源级接电源端gnd，PMOS管本身的栅漏相连后与第一NMOS管的栅极相接，PMOS管源级接电源端vdd，第二NMOS管本身的栅漏相接后与PMOS管的栅极相连，第二NMOS管源级接电源端gnd。

本发明电路与现有技术相比的有益效果是：在传输管选择器电路不工作时，该电平恢复器可以极快速地将选择器的输出端置于固定电平，很大程度上减少了上拉或下拉时间，降低了静态功耗，在选择器电路工作时，电平恢复器可以快速消除传输管输出电压的阈值变化，从而减少短路电流和电路的延时；与传统的电平恢复器相比，本发明的电平恢复速度更快，使得选择器的延时更小，并且可以适用于当后级驱动电路为门电路的情况，而传统的电平恢复器的上拉或下拉管必须横跨一个反相器，利用一个反馈回路，当后级驱动电路为门电路时，就需要在非传输路径上加一级反相器和一个MOS管，增大面积的同时也会增大延时。

附图说明

图1为本发明一种用于传输管选择器的电平恢复器实施例1示意图，是用于NMOS管组成的选择器电路；

图2为本发明一种用于传输管选择器的电平恢复器实施例2示意图，是用于NMOS管组成的选择器电路；