[发明专利]一种用于传输管选择器的电平恢复器有效
| 申请号: | 201110317481.5 | 申请日: | 2011-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN103066968A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
| 发明(设计)人: | 王一;杨海钢;孙嘉斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 传输 选择器 电平 恢复 | ||
1.一种用于传输管选择器的电平恢复器,包括:一级或N级NMOS传输管组成的选择器电路;其特征在于,还包括一个电平恢复器;电平恢复器,包括一个NMOS管和一个PMOS管,PMOS管的漏极接在选择器的输出端,源级接电源端vdd,NMOS管的漏级与PMOS管的栅极相接,NMOS管源级接电源端gnd,栅极接选择器的输出端。
2.根据权利要求1所述的用于传输管选择器的电平恢复器,其特征在于,所述电平恢复器中的NMOS管,在NMOS管本身的栅漏相连后,再与PMOS管的栅极相接,NMOS管源级接电源端gnd。
3.根据权利要求1所述的用于传输管选择器的电平恢复器,其特征在于,所述电平恢复器,包括一个NMOS管和两个PMOS管,第一PMOS管的漏极接在选择器的输出端,源级接电源端vdd,NMOS管本身的栅漏相连后,再与第一PMOS管的栅极相接,NMOS管源级接电源端gnd,第二PMOS管本身的栅漏相接后与NMOS管的栅极相连,第二PMOS管源级接电源端vdd。
4.一种用于传输管选择器的电平恢复器,包括:一级或N级PMOS传输管组成的选择器电路;其特征在于,还包括一个电平恢复器;电平恢复器,包括一个NMOS管和一个PMOS管,NMOS管的漏极接在选择器的输出端,源级接电源端gnd,PMOS管的漏级与NMOS管的栅极相接,PMOS管源级接电源端vdd,栅极接选择器的输出端。
5.根据权利要求4所述的用于传输管选择器的电平恢复器,其特征在于,所述电平恢复器中的PMOS管,在PMOS管本身的栅漏相连后,再与NMOS管的栅极相接,PMOS管源级接电源端vdd。
6.根据权利要求4所述的用于传输管选择器的电平恢复器,其特征在于,所述电平恢复器,包括两个NMOS管和一个PMOS管,第一NMOS管的漏极接在选择器的输出端,源级接电源端gnd,PMOS管本身的栅漏相连后与第一NMOS管的栅极相接,PMOS管源级接电源端vdd,第二NMOS管本身的栅漏相接后与PMOS管的栅极相连,第二NMOS管源级接电源端gnd。
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