[发明专利]发光二极管的驱动电路与其残影消除电路有效
申请号: | 201110317079.7 | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN103050091A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 林俊甫;郭俊廷;谢政翰 | 申请(专利权)人: | 明阳半导体股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/34 | 分类号: | G09G3/34;G09G3/36 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 驱动 电路 与其 消除 | ||
1.一种发光二极管的驱动电路,其特征在于,该驱动电路包括:
电流驱动单元,具有至少一电流驱动端;以及
残影消除电路,包括:
残影消除单元,耦接于上述电流驱动端,根据一致能信号调整上述电流驱动端的电压位准;以及
计数器单元,耦接于该残影消除单元,用以计数一灰阶脉波信号以决定一插黑期间,并在该插黑期间中输出该致能信号至该残影消除单元;
其中,该残影消除单元根据该致能信号提高上述电流驱动端的电压位准至一高电压位准。
2.如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该计数器单元更耦接于该电流驱动单元,用以输出该致能信号至该电流驱动单元,使该电流驱动单元在该插黑期间中失能。
3.如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该电流驱动单元包括:
位移缓存单元;
栓锁单元,耦接于该位移缓存单元;
数据选择单元,耦接于该栓锁单元;
脉波密度调变单元,耦接于该数据选择单元;
定电流驱动单元,耦接于该脉波密度调变单元;
扫描切换控制器,耦接于该数据选择单元,用以选择一扫描数据;以及
扫描计数器,耦接于该脉波密度调变单元,用以计数该灰阶脉波信号,以输出一计数信号至该脉波密度调变单元。
4.如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该残影消除单元包括至少一电压输出电路,分别耦接于上述电流驱动端,并受控于该致能信号,其中当上述电压输出电路接收到该致能信号时,分别输出一高电压至上述电流驱动端。
5.如权利要求4所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,各该电压输出电路包括:
一开关,具有一第一端、一第二端与一控制端,该开关的该第一端耦接于该高电压,该开关该第二端耦接于对应的上述电流驱动端其中之一,该开关的该控制端耦接于该致能信号。
6.如权利要求5所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
7.如权利要求4所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,各该电压输出电路包括:
一开关,具有耦接于该高电压的一第一端,以及耦接于该致能信号的一控制端;以及
一二极管,其阳极耦接于该开关的一第二端,其阴极耦接于对应的上述驱动端其中之一。
8.如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该电流驱动单元具有至少一开关,分别耦接于各该电流驱动端的电流路径上,当该残影消除单元提高上述电流驱动端的电压位准至该高电压位准时,上述开关关闭。
9.一种残影消除电路,适用于一发光二极管的一驱动电路,该驱动电路中的一电流驱动单元具有至少一电流驱动端,且上述电流驱动端的一输出时序是对应于一灰阶脉波信号,其特征在于,该残影消除电路包括:
残影消除单元,耦接于上述电流驱动端,根据一致能信号调整上述电流驱动端的电压位准;以及
计数器单元,耦接于该残影消除单元,用以计数该灰阶脉波信号以决定一插黑期间,并在该插黑期间中输出该致能信号至该残影消除单元;其中,该残影消除单元根据该致能信号提高上述电流驱动端的电压位准至一高电压位准。
10.如权利要求9所述的残影消除电路,其特征在于,该残影消除单元更耦接于该电流驱动单元,用以输出该致能信号至该电流驱动单元,使该电流驱动单元在该插黑期间中失能。
11.如权利要求9所述的残影消除电路,其特征在于,该电流驱动单元包括:
位移缓存单元;
栓锁单元,耦接于该位移缓存单元;
数据选择单元,耦接于该栓锁单元;
脉波密度调变单元,耦接于该数据选择单元;
定电流驱动单元,耦接于该脉波密度调变单元;
扫描切换控制器,耦接于该数据选择单元,用以选择一扫描数据;以及
扫描计数器,耦接于该脉波密度调变单元,用以计数该灰阶脉波信号,以输出一计数信号至该脉波密度调变单元。
12.如权利要求9所述的残影消除电路,其特征在于,该残影消除单元包括至少一电压输出电路,分别耦接于上述电流驱动端,并受控于该致能信号,其中当所述电压输出电路接收到该致能信号时,分别输出一高电压至上述电流驱动端。
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