[发明专利]半导体装置用基板、半导体装置及它们的制造方法

说明书

本申请是申请号为201010117688.3、申请日为2010年02月11日、发明名称为“半导体装置用基板、半导体装置及它们的制造方法”这一母案申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置用基板、半导体装置及它们的制造方法。

背景技术

目前，众所周知的半导体装置的制造方法如专利文献1(日本特开2002-9196号公报)中所示，在基板的具有导电性的一面形成实施了预定的图案化的抗蚀图层，在除了抗蚀图层以外的露出基板的面，以超过抗蚀图案的厚度电沉积导电性金属，以此分别独立地并列形成上端部周边具有伸出部的半导体元件搭载用金属层和电极层，然后除去抗蚀图层，在金属层上搭载半导体元件，用接合线电连接半导体元件上的电极和电极层，用树脂密封半导体元件的搭载部分，然后通过除去基板而得到露出金属层和电极层的各背面的树脂密封体。

根据上述半导体装置的制造方法，由于伸出部能以陷入到树脂中的状态设置，因此根据咬合效果，金属层、电极层与树脂之间的结合力提高，在后续工序中分离基板时，金属层或电极层等的重要部件不会粘在基板侧而一同分离，而是留在树脂密封体一侧，可以有效地防止分离或脱落等，可以确保将半导体装置焊接到电子部件的基板上后的粘结强度。

并且，根据形成在金属层及电极层的上端部整个周边的特有的伸出形状，可以阻止水分从半导体装置背面侧的金属层、电极层的各层和密封树脂层之间的边界部分等侵入，从而可以构成具有耐湿性的部件。

但是，根据上述专利文献1中记载的结构，由于电沉积的厚度会超过抗蚀图案的厚度而进行，因此在横向也丝毫不会存在抗蚀图案限制电沉积的情况，这导致容易受到电流密度的分布等的影响，难以将伸出部保持为一定的长度，电极层或金属层与树脂之间的结合力产生偏差。并且，由于上表面也是在没有任何抗蚀图案的限制的情况下进行电沉积，因此上表面不能形成为平面，容易产生接合线接触不良的问题。

近年，半导体装置追求小型化，用于半导体装置的半导体元件也具有小型化趋势，因此半导体装置用基板的电极层也被要求微细化、高精度化。

但是，像专利文献1中记载的那样，如果不能高精度地控制对应于半导体元件而设置的电极层的大小，则可能存在不能应对今后的微细化的问题。并且，为了得到电极层或金属层与树脂之间的可靠的咬合效果，需要将伸出部分长度设为5μm～20μm的范围，所设定的伸出部的长度越长，电极层或金属层的厚度需要越厚，因此存在不能应对半导体装置的薄型化的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种半导体装置用基板的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置用基板以及半导体装置，以使金属层或电极层的横向大小均匀，金属层或电极层与密封树脂之间的结合力高且稳定，电极上表面平坦且具有良好的粘结性，并且还能充分应对半导体装置的小型化或薄型化。

为了实现上述目的，第一发明的半导体装置用基板的制造方法，包含：在具有导电性的基板的表面形成抗蚀层的抗蚀层形成工序；使用玻璃掩膜对所述抗蚀层进行露光的露光工序，所述玻璃掩膜包含掩膜图案，该掩膜图案具有透过区域和遮光区域，在该透过区域和该遮光区域之间具有透过率比该透过区域低、而比该遮光区域高的中间透过区域；对所述抗蚀层进行显影，在所述基板上形成抗蚀图案的显影工序，所述抗蚀图案具有包含倾斜部的侧面形状，所述倾斜部形成为随着接近所述基板，开口部外周变小；使用该抗蚀图案对所述基板的露出部分进行电镀而形成金属层的电镀工序，该金属层具有包含倾斜部的侧面形状，该倾斜部形成为随着接近所述基板，外周变小；除去所述抗蚀图案的抗蚀剂除去工序。

据此，可以形成具有包含随着接近基板一侧，外周变小的倾斜部的侧面形状的金属层，在进行树脂密封后，即使对基板进行剥离，也会形成密封树脂从下方固定金属层的倾斜部的状态，因此在后续的半导体制造工序中，可以提供保持充分的强度半导体装置用基板。

根据第二发明，在第一发明的半导体装置用基板的制造方法中，所述掩膜图案的所述中间透过区域由与所述透过区域具有相同透过率的透过部和与所述遮光区域具有相同透过率的遮光部混合而构成。

据此，调整透过部和遮光部的比率，根据掩膜图案的形状可以调整透过率，在不进行特殊的掩膜加工、无需增加工序的情况下，可以调整中间透过区域的透过率。

根据第三发明，在第二发明的半导体装置用基板的制造方法中，所述中间透过区域在所述遮光部的区域中包含一部分所述透过部。