[发明专利]基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM结构及其制备方法

权利要求书

1.一种基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM结构，其特征在于，

包括硅基底层、体区层、以及位于所述体区层和硅基底层之间的埋层N型阱，所述体区层材质为P型锗硅，所述埋层N型阱材质为N型碳化硅；

在所述体区层上表面还覆盖有一层硅膜；

所述异质结1T-DRAM结构还包括位于体区层上的栅极和位于栅极两侧的漏、源区；

以所述栅极为中心，所述漏、源区外侧分别设有浅沟槽；所述浅沟槽下底低于埋层N型阱上表面、而高于埋层N型阱下表面。

2.根据权利要求1所述的异质结1T-DRAM结构，其特征在于，所述漏、源区材质为N⁺型碳化硅。

3.根据权利要求1或2所述的异质结1T-DRAM结构，其特征在于，所述碳化硅中碳的摩尔含量为0.01%~10%。

4.根据权利要求1或3所述的异质结1T-DRAM结构，其特征在于，所述埋层N型阱厚度≥10nm。

5.根据权利要求1所述的异质结1T-DRAM结构，其特征在于，所述体区层锗的摩尔含量为0.1%~100%。

6.根据权利要求1所述的异质结1T-DRAM结构，其特征在于，所述漏、源区下方体区层厚度为所述体区层最大厚度的1/5~4/5。

7.根据权利要求1、5或6所述的异质结1T-DRAM结构，其特征在于，所述体区层厚度≥30nm。

8.一种制备如权利要求1所述异质结1T-DRAM结构的方法，其特征在于，步骤包括：

步骤1，硅基底上外延一层N型碳化硅层；

步骤2，在所述N型碳化硅层上外延一层P型锗硅层；在P型锗硅层上再外延一层硅膜；

步骤3，形成浅沟槽，使所述浅沟槽位于P型锗硅层上外延硅膜、P型锗硅层和N型碳化硅中，并且下底面位于N型碳化硅中；

步骤4，在相邻两个沟槽间制备栅极，刻蚀栅极与两侧浅沟槽之间的P型锗硅层，但不刻蚀至N型碳化硅层，分别形成漏区槽、源区槽，分别对漏区槽、源区槽进行填充形成漏、源区。

9.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤4中刻蚀掉的P型锗硅厚度为P型锗硅厚度的1/5~4/5。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，对漏区槽、源区槽进行填充的材料为N⁺型碳化硅。