[发明专利]具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种高压晶体管模型方法，具体涉及一种具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法。

背景技术

用于高压集成电路设计的高压晶体管一般分为高压MOS和高压LDMOS两种。目前用于提高高压晶体管耐压的方法有两种：其一，场板技术的引入可以均匀表面电场，从而提高器件击穿电压；其二，在耐压侧(漏侧或源漏两侧)引入轻掺杂漂移区，通过漂移区耗尽以提高器件的击穿电压。

如图1所示，为提高器件的击穿电压，在高压MOS的源侧和漏侧引入轻掺杂漂移区；如图2所示，在高压LDMOS的漏侧引入轻掺杂漂移区。

但是，场板技术同时会引入较大的交叠电容(Overlap电容)，漂移区大的电阻特性也会带来高压器件独特的高压特性。如何精确模拟场板技术及漂移区特性是高压器件建模的关键之处。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法，它可以精确模拟漂移区电阻特性。

为解决上述技术问题，本发明具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法的技术解决方案为，包括以下步骤：

第一步，按照器件结构，将漏侧漂移区分为三部分：沟道有源区下的漂移区Loverld、场氧下的漂移区Ldrift1和漏极有源区下的漂移区Ldrift2；将源侧漂移区也分为三部分：沟道有源区下的漂移区Lovers、场氧下漂移区Ldrifts1和源极有源区下的漂移区Ldrifts2；

第二步，精确模拟每部分漂移区的电阻特性；

采用下述公式模拟器件的栅源电压Vgs、漏源电压Vds和体源电压Vbs对漂移区电阻特性的影响；

Rdrift=RDVD(1+RDVG1-RDVG1RDVG2Vgs)×(1-Vbs×RDVB)×VdsRDVD1×(LdriftDdrift-Wdep))---(1)]]>

并采用下述公式模拟器件沟道长度、沟道宽度及漂移区各部分尺寸对漂移区电阻的影响；