[发明专利]具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法

权利要求书

1.一种具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，按照器件结构，将漏侧漂移区分为三部分：沟道有源区下的漂移区Loverld、场氧下的漂移区Ldrift1和漏极有源区下的漂移区Ldrift2；将源侧漂移区也分为三部分：沟道有源区下的漂移区Lovers、场氧下漂移区Ldrifts1和源极有源区下的漂移区Ldrifts2；

第二步，精确模拟每部分漂移区的电阻特性；

采用下述公式模拟器件的栅源电压Vgs、漏源电压Vds和体源电压Vbs对漂移区电阻特性的影响；

Rdrift=RDVD(1+RDVG1-RDVG1RDVG2Vgs)×(1-Vbs×RDVB)×VdsRDVD1×(LdriftDdrift-Wdep))---(1)]]>

并采用下述公式模拟器件沟道长度、沟道宽度及漂移区各部分尺寸对漂移区电阻的影响；

RDVD=RDVDW×exp(-RDVDL×LRDVDLP)×(1+RDVDSW×L)×f1×f2×f3---(2)]]>

漏侧漂移区长度Ldrift＝Loverld+Ldrift1+Ldrift2    (3)

其中：

f₁(Ldrift1)＝Ldrift1×RDSLP1+RDICT1              (4)

f₂(Ldrift2)＝Ldrift2×RDSLP2+RDICT2              (5)

f3(Lover)=1+(RDOV1-RDOV1RDOV2)×Loverld+(1-RDOV3)×Loverld---(6)]]>

或者

源侧漂移区长度Ldrift＝Lovers+Ldrifts1+Ldrifts2   (7)

其中：

f₁(Ldrifts1)＝Ldrifts1×RDSLP1+RDICT1        (8)

f₂(Ldrifts2)＝Ldrifts2×RDSLP2+RDICT2        (9)

f3(Lovers)=1+(RDOV1-RDOV1RDOV2)×Lovers+(1-RDOV3)×Lovers---(10)]]>

其中：

Rdrift是漂移区电阻；

Ldrift是漂移区的长度；

Vgs，Vbs，Vds分别是栅源电压、体源电压和漏源电压；

RDVG1，RDVG2，RDVB，RDVD1分别是栅源一阶电压系数、栅源二阶电压系数、体源一阶电压系数、漏源电压指数；

W，L分别是器件沟道宽度、沟道长度；

Ddrift是漂移区结深；

Wdep是漂移区与衬底PN结在漂移区侧所形成的耗尽区宽度；

RDVD，RDVDL，RDVDS是与器件沟道宽度、沟道长度相关的漂移区电阻阻值；

RDVDLP是指数项的修正因子；

RDSLP1，RDICT1是Ldrift1修正因子；

RDSLP2，RDICT2是Ldrift2修正因子；

RDOV1，RDOV2，RDOV3是Lover修正因子。