[发明专利]发光二极管的封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体的封装方法，尤其涉及一种发光二极管的封装方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电转换成光的半导体元件，凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点，已被广泛地应用到当前的各个领域当中。

为提升发光元件的出光效率，通常将一反射型偏光增亮膜片（Dual Brightness Enhancement Film，DBEF）设置在该封装结构的出光面上，以产生具有相同偏振方向的偏振光。所述反射型偏光片是采用多层光学薄膜技术的反射型增亮膜，其设置于背光源及下偏片之间，将被传统吸收型偏光片吸收的光线加以循环利用，从而提升光学装置的出光强度。

然而，对于该反射型偏光片和所述发光二极管的结合，若采取直接胶粘的方式，所形成的结构连接不够稳固，同时长时间连接胶的老化将影响发光二极管的出光效果；若在较高的温度环境下直接结合该反射型偏光增亮膜片和发光二极管，则会对整个发光二极管的结构造成损坏，尤其是由胶体材料形成的封装层受到破坏，进而影响该发光二极管的出光效果，故，有待进一步改善。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种便于发光二极管和反射型偏光增亮膜片连接的发光二极管的封装方法。

一种发光二极管封装方法，其步骤包括：提供一封装基板；蚀刻所述封装基板的上表面形成若干反射杯并在该反射杯内设置若干导电架，每一导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；在该导电架上形成以发光二极管元件，所述发光二极管元件与该第一电极及第二电极形成电性连接；在该封装基板的各反射杯之间的上表面上设置若干连接块；在该若干连接块上设置反射型偏光增亮膜片；低温共烧所述反射型偏光增亮膜片及连接块，以通过连接块将反射型偏光增亮膜片结合在该封装基板上；及切割所述封装基板以形成多个发光二极管封装元件。

与先前技术相比，该发光二极管在该反射部的上表面设置若干连接块，将反射型偏光增亮膜片设置在LED的出光面上，通过低温共烧的方式，使该封装基板对应反射部的区域和反射型偏光增亮膜片紧密结合在一起，同时该封装基板对应该荧光层的区域和反射式偏光增亮膜片相互间隔，从而既保证了所述封装基板和所述反射型偏光增亮膜片的稳固连接，同时也避免了该发光二极管在共烧的制程中受到破坏。

附图说明

图1至图5为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制造步骤示意图。

图6至图11为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的制造步骤示意图。

主要元件符号说明