[发明专利]发光二极管的封装方法无效
| 申请号： | 201110311646.8 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103050583A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张耀祖 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 方法 | ||
1.一种发光二极管封装方法，其步骤包括：
提供一封装基板；
蚀刻所述封装基板的上表面使封装基板形成若干反射杯，并在每一反射杯内设置一个导电架，每一个导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；
在各导电架上设置一发光二极管元件，并将发光二极管元件与该第一电极及第二电极形成电性连接；
在该封装基板的各反射杯之间的上表面上设置若干连接块；
在该若干连接块上设置反射型偏光增亮膜片；
低温共烧所述反射型偏光增亮膜片及连接块，以通过连接块将反射型偏光增亮膜片结合在该封装基板上；及
切割所述封装基板、反射型偏光增亮膜片及连接块以形成多个发光二极管封装元件。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：每一反射杯包括一承载部和贴设该承载部上表面的反射部，所述反射部围成一收容空间，该反射部的下表面与所述承载部的部分上表面相贴合，所述第一电极和第二电极设于该承载部的上表面并外露于所述收容空间。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：可在发光元件上覆盖形成一荧光层，所述荧光层设于该反射杯中并与所述反射部上表面有一段距离。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述若干连接块设于该反射部的上表面上。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述反射型偏光增亮膜片为多层膜片交叠而成，且均由出光性好的透明材料制成。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装方法，其特征在于：该膜片由两种折射率为1.88及1.64的化合物掺杂而成，每一膜片具有不同的折射率。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：所述低温共烧的温度范围为850℃-900℃。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：低温共烧步骤后，该封装基板对应荧光层区域和反射型偏光增亮膜片之间呈现一空隙。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：低温共烧步骤后，所述封装基板对应反射部上表面区域和所述反射型偏光增亮膜片紧密结合在一起。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于：
提供若干相互分离的封装基板，将所述若干封装基板设于一载板上；
蚀刻每一封装基板的上表面使封装基板形成若干反射杯，并在每一反射杯内设置一个导电架，每一个导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；
在各导电架上设置一发光二极管元件，并将发光二极管元件与该第一电极及第二电极形成电性连接；
在所述各发光二极管元件上形成一荧光层以覆盖该发光二极管元件；
在该封装基板的各反射杯之间的第一表面上设置若干连接块；
在该若干连接块上设置反射型偏光增亮膜片；
低温共烧所述反射型偏光增亮膜片及连接块，以通过连接块将反射型偏光增亮膜片结合在该封装基板上；及
将所述若干封装基板从该载板上分离以形成多个发光二极管封装元件。
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