[发明专利]高显色性白光LED及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110308946.0 申请日: 2011-10-11
公开(公告)号: CN102437150A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 陈苏南;吉爱华 申请(专利权)人: 深圳市迈克光电子科技有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显色性 白光 led 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及LED照明技术领域,尤其涉及一种高显色性白光LED及其制作方法。

背景技术

目前,白色发光二极管因其节能环保效果显著,在照明领域的用途越来越广泛。现有白光二极管的白光产生方式通常都是在发蓝光芯片上涂上YAG荧光粉,其中部分蓝光遇到荧光粉后发出黄光,黄光与剩余的蓝光混合即发出白光。由于YAG荧光粉的光衰快,导致白色发光二极管的稳定性差,可靠使用时间短,产生的白光显色性差,大功率器件散热性差。

如何提高白色发光二极管的散热性和白光显色性,以及如何提高白色发光二极管的稳定性是现有技术面临的一大难题。

发明内容

针对上述技术中存在的不足之处,本发明提供一种高显色性白光LED及其制作方法,能够在不使用荧光粉的情况下,获得稳定可靠的高显色性白光光源。

为实现上述目的,本发明提供一种高显色性白光LED,包括:开有凹槽的高效散热铝基座,以及在高效散热铝基座凹槽中自底而上依次设置的第一金铟锡合金层、硅沉底层、LED高压芯片、金线和硅胶层,所述硅沉底层朝向所述LED高压芯片的一面上设置有线路板,所述硅沉底层的朝向第一金铟锡合金层的一面上镀有第二金铟锡合金层,所述第一金铟锡合金层与第二金铟锡合金层固定连接,所述LED高压芯片通过所述金线与硅沉底层上设置的线路板电连接,所述硅胶层灌注在所述凹槽内并填满整个凹槽,所述LED高压芯片包括绿光高压芯片、蓝光高压芯片和红光高压芯片,所述绿光高压芯片、蓝光高压芯片和红光高压芯片并联后与线路板电连接。

其中,所述第一金铟锡合金层的厚度为0.1mm,合金中金铟锡的比例为2∶56∶42;所述第二金铟锡合金层的厚度为0.1mm,合金中金铟锡的比例为2∶56∶42。

其中,所述LED高压芯片朝向硅沉底层的一面具有蒸镀铟层,所述LED高压芯片蒸镀铟层与硅沉底层固定连接,所述蒸镀铟层的厚度为50~100um。

其中,所述红光高压芯片的波长630~635nm,绿光高压芯片的波长525~530nm,蓝光高压芯片的波长470~475nm。

其中,所述绿光高压芯片为4枚,所述蓝光高压芯片为4枚,所述红光高压芯片为6枚,所述4枚绿光高压芯片串联组成绿光LED串联支路,所述4枚蓝光高压芯片串联组成蓝光LED串联支路,所述6枚红光高压芯片串联组成红光LED串联支路,所述绿光LED串联支路、蓝光LED串联支路和红光LED串联支路并联后与所述线路板电连接。

为实现上述目的,本发明还提供一种高显色性白光LED的制作方法,包括以下步骤:

在高效散热铝基座上开设凹槽,并在高效散热铝基座的凹槽中蒸镀上第一金铟锡合金层;

将一面上设置有线路板,另一面蒸镀有第二金铟锡合金层的硅沉底层放置在高效散热铝基座的凹槽中,所述第一金铟锡合金层与第二金铟锡合金层固定连接;

将LED高压芯片固定在硅沉底层的线路板上,且用金线将LED高压芯片与线路板电连接,所述LED高压芯片包括绿光高压芯片、蓝光高压芯片和红光高压芯片;

在固定了硅沉底层和LED高压芯片的高效散热铝基座的凹槽中灌注上硅胶层,所述硅胶层填满整个凹槽。

其中,在高效散热铝基座的凹槽中蒸镀上第一金铟锡合金层的厚度为0.1mm,金铟锡合金的比例为2∶56∶42;在硅沉底层蒸镀的第二金铟锡合金层的厚度为0.1mm,金铟锡合金的比例为2∶56∶42。

其中,LED高压芯片朝向硅沉底层的一面具有蒸镀铟层,蒸镀铟层的厚度为50~100um。

其中,红光高压芯片的波长630~635nm,绿光高压芯片的波长525~530nm,蓝光高压芯片的波长470~475nm。

其中,在灌注硅胶层的步骤中,包括以下步骤:

将道康宁的6636胶水按比例配好,搅拌5分钟后,送入脱泡机抽真空;

抽完真空后的6636胶水用自动点胶机点在高效散热铝基座的凹槽里;

将灌注有胶水的高效散热铝基座送入150度的烘箱,烘烤90分钟固化。

本发明的有益效果是:与现有技术相比,本发明提供的高显色性白光LED及其制作方法,能够在不使用荧光粉的情况下,通过绿光高压芯片、蓝光高压芯片和红光高压芯片的组合光源,获得稳定可靠的白光光源,由于没有设置荧光粉,白光光源直接通过硅胶射出,因而显色性好。进一步地,本发明的LED高压芯片发热源通过硅沉底层上的第二金铟锡合金层与高效散热铝基座上的第二金铟锡合金层直接热接触,散热性能优异,从而延长LED的使用寿命。

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