[发明专利]高显色性白光LED及其制作方法

权利要求书

1.一种高显色性白光LED，其特征在于，包括：开有凹槽的高效散热铝基座，以及在高效散热铝基座凹槽中自底而上依次设置的第一金铟锡合金层、硅沉底层、LED高压芯片、金线和硅胶层，所述硅沉底层朝向所述LED高压芯片的一面上设置有线路板，所述硅沉底层的朝向第一金铟锡合金层的一面上镀有第二金铟锡合金层，所述第一金铟锡合金层与第二金铟锡合金层固定连接，所述LED高压芯片通过所述金线与硅沉底层上设置的线路板电连接，所述硅胶层灌注在所述凹槽内并填满整个凹槽，所述LED高压芯片包括绿光高压芯片、蓝光高压芯片和红光高压芯片，所述绿光高压芯片、蓝光高压芯片和红光高压芯片并联后与线路板电连接。

2.根据权利要求1所述的高显色性白光LED，其特征在于，所述第一金铟锡合金层的厚度为0.1mm，合金中金铟锡的比例为2∶56∶42；所述第二金铟锡合金层的厚度为0.1mm，合金中金铟锡的比例为2∶56∶42。

3.根据权利要求1或2所述的高显色性白光LED，其特征在于，所述LED高压芯片朝向硅沉底层的一面具有蒸镀铟层，所述LED高压芯片的蒸镀铟层与硅沉底层固定连接，所述蒸镀铟层的厚度为50～100um。

4.根据权利要求3所述的高显色性白光LED，其特征在于，所述红光高压芯片的波长630～635nm，绿光高压芯片的波长525～530nm，蓝光高压芯片的波长470～475nm。

5.根据权利要求4所述的高显色性白光LED，其特征在于，所述绿光高压芯片为4枚，所述蓝光高压芯片为4枚，所述红光高压芯片为6枚，所述4枚绿光高压芯片串联组成绿光LED串联支路，所述4枚蓝光高压芯片串联组成蓝光LED串联支路，所述6枚红光高压芯片串联组成红光LED串联支路，所述绿光LED串联支路、蓝光LED串联支路和红光LED串联支路并联后与所述线路板电连接。

6.一种高显色性白光LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在高效散热铝基座上开设凹槽，并在高效散热铝基座的凹槽中蒸镀上第一金铟锡合金层；

将一面上设置有线路板，另一面蒸镀有第二金铟锡合金层的硅沉底层放置在高效散热铝基座的凹槽中，并使第一金铟锡合金层与第二金铟锡合金层固定连接；

将LED高压芯片固定在硅沉底层的线路板上，且用金线将LED高压芯片与线路板电连接，所述LED高压芯片包括绿光高压芯片、蓝光高压芯片和红光高压芯片；

在固定了硅沉底层和LED高压芯片的高效散热铝基座的凹槽中灌注上硅胶层，所述硅胶层填满整个凹槽。

7.根据权利要求6所述的高显色性白光LED的制作方法，其特征在于，在高效散热铝基座的凹槽中蒸镀上第一金铟锡合金层的厚度为0.1mm，金铟锡合金的比例为2∶56∶42；在硅沉底层蒸镀的第二金铟锡合金层的厚度为0.1mm，金铟锡合金的比例为2∶56∶42。

8.根据权利要求6或7所述的高显色性白光LED的制作方法，其特征在于，LED高压芯片朝向硅沉底层的一面具有蒸镀铟层，蒸镀铟层的厚度为50～100um。

9.根据权利要求8所述的高显色性白光LED的制作方法，其特征在于，红光高压芯片的波长630～635nm，绿光高压芯片的波长525～530nm，蓝光高压芯片的波长470～475nm。

10.根据权利要求9所述的高显色性白光LED的制作方法，其特征在于，在灌注硅胶层的步骤中，包括以下步骤：

将道康宁的6636胶水按比例配好，搅拌5分钟后，送入脱泡机抽真空；

抽完真空后的6636胶水用自动点胶机点在高效散热铝基座的凹槽里；

将灌注有胶水的高效散热铝基座送入150度的烘箱，烘烤90分钟固化。