[发明专利]封装系统及其制造方法

说明书

技术领域

本发明基本上涉及半导体封装系统领域，更具体地来说，涉及封装系统及其制造方法。

背景技术

微电子机械系统(MEMS)器件是集成电路技术领域中的最新发展，并且包括使用半导体技术制造的器件，从而形成机械和电子部件。MEMS器件的实例包括：传动装置、杠杆、阀、以及铰链。MEMS器件的常见应用包括：加速计、压力传感器、致动器、平面镜、加热器、以及打印机喷头。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种封装系统，包括：第一衬底结构，包括设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；以及第二衬底结构，包括第二衬底，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，其中，所述至少一个第一导电结构通过至少一个含锗层与所述第二衬底电连接。

在该封装系统中，所述第二衬底结构包括：开口，穿过所述第二衬底结构；以及所述至少一个含锗层的至少一部分，位于所述开口的至少一个侧壁上。

在该封装系统中，所述至少一个含锗层从所述至少一个第一导电结构连续延伸至所述开口的至少一个侧壁。

在该封装系统中，进一步包括：至少一个第二导电结构，被设置在所述开口中，并且通过所述至少一个含锗层与所述至少一个第一导电结构电连接。

在该封装系统中，所述至少一个含锗层被设置在所述至少一个第二导电结构的一部分周围，所述至少一个第二导电结构的一部分与所述第二衬底结构的第一表面邻近，所述第一表面与所述第二衬底结构的第二表面相对，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，并且所述至少一个含锗层与所述至少一个第一导电结构分隔开。

在该封装系统中，所述至少一个含锗层进一步延伸至所述第二衬底结构的第一表面上方，并且所述第一表面与所述第二衬底结构的第二表面相对，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合。

在该封装系统中，进一步包括：至少一个金属材料层，被设置在所述至少一个含锗层的上方，并且所述金属材料层与所述至少一个含锗层电连接，所述含锗层延伸至所述第二衬底结构的所述第一表面上方。

在该封装系统中，进一步包括：至少一个第二导电结构，穿过所述第二衬底结构，并且与所述至少一个第一导电结构电连接，其中，所述至少一个含锗层被设置在所述第二衬底的上方，并且与所述第二衬底电连接。

在该封装系统中，所述至少一个含锗层通过所述至少一个第二导电结构与所述至少一个第一导电结构电连接。

在该封装系统中，进一步包括：至少一个金属材料层，被设置在所述至少一个含锗层的上方，并且与所述至少一个含锗层电连接。

在该封装系统中，所述至少一个含锗层被直接设置在所述至少一个第二导电结构上。

在该封装系统中，进一步包括：至少一个第二导电结构，穿过所述第二衬底结构，并且与所述至少一个第一导电结构电连接，其中，所述第二衬底结构具有至少一个掺杂区域，并且所述第二衬底结构通过所述至少一个掺杂区域与所述第一衬底结构电连接。

在该封装系统中，所述至少一个掺杂区域被设置在所述第一衬底结构和所述第二衬底结构之间。

在该封装系统中，所述至少一个掺杂区域被设置在所述第二衬底结构的第一表面上方，并且所述第一表面与所述第二衬底结构的第二表面相对，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合。

在该封装系统中，所述第二衬底结构包括被设置在所述掺杂区域上方的至少一个含硅层，并且所述至少一个含硅层与所述第一衬底结构相接合。

根据本发明的另一方面，提供了一种封装系统，包括：第一衬底结构，包括被设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；第二衬底结构，包括第二衬底，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，所述第二衬底结构具有至少一个掺杂区域；以及至少一个第二导电结构，穿过所述第二衬底结构，所述至少一个第一导电结构通过所述至少一个第二导电结构和所述至少一个掺杂区域与所述第二衬底电连接。

在该封装系统中，所述至少一个掺杂区域被设置在所述第二衬底结构的表面中，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合。

在该封装系统中，所述至少一个掺杂区域被设置在所述第二衬底结构的第一表面中，并且所述第一表面与所述第二衬底结构的第二表面相对，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合。

在该封装系统中，所述第二衬底结构包括被设置为与所述掺杂区域邻近的至少一个含硅层，并且所述至少一个含硅层与所述第一衬底结构相接合。