[发明专利]封装系统及其制造方法

权利要求书

1.一种封装系统，包括：

第一衬底结构，包括设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；以及

第二衬底结构，包括第二衬底，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，其中，所述至少一个第一导电结构通过至少一个含锗层与所述第二衬底电连接。

2.根据权利要求1所述的封装系统，其中，所述第二衬底结构包括：

开口，穿过所述第二衬底结构；以及

所述至少一个含锗层的至少一部分，位于所述开口的至少一个侧壁上，

其中，所述至少一个含锗层从所述至少一个第一导电结构连续延伸至所述开口的至少一个侧壁。

3.根据权利要求2所述的封装系统，进一步包括：

至少一个第二导电结构，被设置在所述开口中，并且通过所述至少一个含锗层与所述至少一个第一导电结构电连接，

其中，所述至少一个含锗层被设置在所述至少一个第二导电结构的一部分周围，所述至少一个第二导电结构的一部分与所述第二衬底结构的第一表面邻近，所述第一表面与所述第二衬底结构的第二表面相对，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，并且所述至少一个含锗层与所述至少一个第一导电结构分隔开，或者

其中，所述至少一个含锗层进一步延伸至所述第二衬底结构的第一表面上方，并且所述第一表面与所述第二衬底结构的第二表面相对，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，

所述封装系统进一步包括：

至少一个金属材料层，被设置在所述至少一个含锗层的上方，并且所述金属材料层与所述至少一个含锗层电连接，所述含锗层延伸至所述第二衬底结构的所述第一表面上方。

4.根据权利要求1所述的封装系统，进一步包括：

至少一个第二导电结构，穿过所述第二衬底结构，并且与所述至少一个第一导电结构电连接，其中，所述至少一个含锗层被设置在所述第二衬底的上方，并且与所述第二衬底电连接。

5.根据权利要求4所述的封装系统，其中，所述至少一个含锗层通过所述至少一个第二导电结构与所述至少一个第一导电结构电连接，或者

进一步包括：

至少一个金属材料层，被设置在所述至少一个含锗层的上方，并且与所述至少一个含锗层电连接，或者

其中，所述至少一个含锗层被直接设置在所述至少一个第二导电结构上。

6.根据权利要求1所述的封装系统，进一步包括：

至少一个第二导电结构，穿过所述第二衬底结构，并且与所述至少一个第一导电结构电连接，其中，所述第二衬底结构具有至少一个掺杂区域，并且所述第二衬底结构通过所述至少一个掺杂区域与所述第一衬底结构电连接。

7.根据权利要求6所述的封装系统，其中，所述至少一个掺杂区域被设置在所述第一衬底结构和所述第二衬底结构之间，或者

其中，所述至少一个掺杂区域被设置在所述第二衬底结构的第一表面上方，并且所述第一表面与所述第二衬底结构的第二表面相对，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，或者

其中，所述第二衬底结构包括被设置在所述掺杂区域上方的至少一个含硅层，并且所述至少一个含硅层与所述第一衬底结构相接合。

8.一种封装系统，包括：

第一衬底结构，包括被设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；

第二衬底结构，包括第二衬底，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，所述第二衬底结构具有至少一个掺杂区域；以及

至少一个第二导电结构，穿过所述第二衬底结构，所述至少一个第一导电结构通过所述至少一个第二导电结构和所述至少一个掺杂区域与所述第二衬底电连接。

9.根据权利要求8所述的封装系统，其中，所述至少一个掺杂区域被设置在所述第二衬底结构的表面中，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，或者

其中，所述至少一个掺杂区域被设置在所述第二衬底结构的第一表面中，并且所述第一表面与所述第二衬底结构的第二表面相对，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合，或者

其中，所述第二衬底结构包括被设置为与所述掺杂区域邻近的至少一个含硅层，并且所述至少一个含硅层与所述第一衬底结构相接合。

10.一种封装系统，包括：

第一衬底结构，包括被设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；

第二衬底结构，包括第二衬底，所述第二衬底结构与所述第一衬底结构相接合；

至少一个第二导电结构，穿过所述第二衬底结构，并且与所述至少一个第一导电结构电连接；以及

至少一个含锗层，设置在所述第二衬底结构上方，并且与所述第二衬底结构电连接，其中，所述至少一个含锗层的表面基本上与所述至少一个第二导电结构的表面齐平。