[发明专利]一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法

权利要求书

1.一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法，其特征在于，包括：

根据设计图形，制作三块测试光罩，分别为第一光罩，第二光罩和第三光罩，所述第一光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的有源区图形或者浅槽隔离区图形，所述第二光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的栅极图形，所述第三光罩用来曝光光学临近修正模型测试结构；

将测试用晶圆完成浅槽隔离工艺的整个流程，光刻时用所述第一光罩进行有源区图形的曝光；将测试用晶圆完成栅极工艺的整个流程，光刻时用所述第二光罩进行栅极图形的曝光；源极漏极光刻用所述第三光罩完成所述光学临近修正模型测试结构的曝光，测试用晶圆制作完成；

用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，完成后即可建立一个包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型。

2.根据权利要求1所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法，其特征在于，所述包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型，包括：位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构，以及位于衬底上的孤立线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构。

3.根据权利要求1所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，收集的数据包括：根据工艺需求设计的线宽尺寸，间距尺寸，重复周期和线端间距尺寸。

4.根据权利要求1所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，适用于65nm以下节点工艺。

5.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第一曝光单元，所述第一曝光单元内以均匀相隔间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。

6.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第二曝光单元，所述第二曝光单元内分布有一条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。

7.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第三曝光单元，所述第三曝光单元内均匀分布有两块面积相同、相互形成一定相隔间距的源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。

8.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第四曝光单元，所述第四曝光单元内以均匀相隔间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。

9.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第五曝光单元，所述第五曝光单元内以均匀相隔间距和均匀线端间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。

10.根据权利要求2所述的SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其特征在于，所述位于衬底上的孤立线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第六曝光单元，所述第六曝光单元内均匀分布有两块面积相同、相互形成一定线端间距的源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。