[发明专利]一种光刻机温控硅片载物台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域的光刻工艺设备，尤其是一种用于光刻机的光刻机温控硅片载物台。

背景技术

光刻技术伴随集成电路制造工艺的不断进步，随着线宽的不断缩小，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的IC（集成电路）随后到LSI（大规模集成电路）, VLSI（超大规模集成电路），直至今天的ULSI（特大规模集成电路），器件的面积进一步缩小，功能更为全面强大。考虑到工艺研发的复杂性，长期性和高昂的成本等等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，在同一枚硅片上尽可能多的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者，制造商的重视。其中光刻工艺就担负着关键的作用，对于光刻技术而言，光刻设备、工艺及掩模板技术是其中的重中之重。

在使用光掩模进行硅晶片光刻的过程中，当硅片载物台被光刻机激光照射一定时间以后，会发生发热状况，其产生的热量会引起硅片的形变，进而导致在光刻机连续工作中硅片与硅片、批次与批次之间工艺套准精度下降。业界通常的解决方案是采用硅片曝光过程中间歇冷却硅片载物台的方法，控制套准精度，但是这样一来会导致产能下降，设备的利用率降低。

发明内容

针对现有光刻工艺设备存在的上述问题，本发明提供一种光刻机温控硅片载物台。

本发明解决技术问题所采用的技术方案为：

一种光刻机温控硅片载物台，包括硅片载物台1，所述硅片载物台1包括圆形放置硅片区域3，其中，所述放置硅片区域3周围设有环抱所述放置硅片区域3的圆环形温度测量装置2。

上述光刻机温控硅片载物台，其中，所述放置硅片区域3下方设有制冷装置4，所述制冷装置4紧贴所述放置硅片区域3。

上述光刻机温控硅片载物台，其中，还包括温度控制装置，所述温度控制装置与所述温度测量装置2以及所述制冷装置4电性连接。

上述光刻机温控硅片载物台，其中，所述制冷装置4为半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷面紧贴所述放置硅片区域3。

本发明的有益效果是：

可以始终控制曝光过程中硅片的温度，防止由于温度导致的硅片形变，进而进一步获得更佳的工艺套准精度及在光刻机连续工作中实现高度的硅片与硅片、批次与批次之间的均匀性，并在实现高精度控制的前提下不损失设备产能。

附图说明

图1是本发明一种光刻机温控硅片载物台的俯视图；

图2是本发明一种光刻机温控硅片载物台的侧视剖面图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

如图1所示，本发明一种光刻机温控硅片载物台，包括硅片载物台1，硅片载物台1包括圆形放置硅片区域3，其中，放置硅片区域3周围设有环抱放置硅片区域3的圆环形温度测量装置2。

设置温度测量装置2可以实时监控硅片放置区域3的温度，当温度过高时可以及时做出处置。

进一步的，如图2所示，放置硅片区域3下方设有制冷装置4，制冷装置4紧贴所述放置硅片区域3。

设置制冷装置4可以在放置硅片区域3温度过高时提供冷却，以防止出现温度过高导致硅片变形。

进一步的，还包括温度控制装置，温度控制装置与温度测量装置2以及制冷装置4电性连接。

温度控制装置通过温度测量装置2测量到的放置硅片区域3的温度，实时控制制冷装置4，以实现硅片放置区域3的温度控制，温度控制装置控制制冷装置4时无需停止光刻机工作，所以不会影响到工艺产能。

进一步的，制冷装置4可以是半导体制冷片，半导体制冷片的制冷面紧贴放置硅片区域3。

半导体制冷片（TE）也叫热电制冷片，是一种热泵，它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。 半导体制冷片的工作运转是用直流电流，它既可制冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一制冷片上实现制冷或加热。所以采用半导体制冷片作为制冷装置4可以灵活安置，且由于其使用直流电，所以能源获得也很方便，无需接入额外的能源或者冷媒。 

以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的申请专利范围，所以凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等效结构变化以及等效手段替换，均包含在本发明的保护范围内。