[发明专利]一种硬质B-C-N光学薄膜在审
| 申请号： | 201110307485.5 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102321872A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 戴圣英 | 申请（专利权）人： | 宁波市瑞通新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;G02B1/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315177 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硬质 光学薄膜 | ||
1.一种射频(13.56MHz)磁控溅射制得的硬质B-C-N光学薄膜，其由下述步骤得到：
首先，将玻璃基体材料分别用丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约10min后，用氮气吹干备用。
随后，将基体材料置于真空室内的样品台上，并将石墨/硼复合靶置于靶位，其中所述的石墨/硼复合靶是将环状的硼套在圆片状的石墨外，且石墨与硼的面积比在2.5∶1-2∶1之间，石墨的纯度为99.999％、硼的纯度为99.9％，石墨/硼复合靶与基体材料距离为7-8cm。
随后将真空室内真空度抽到≤5×10-4Pa，同时通入流量为8-10sccm的Ar，当真空室气压为2-4Pa时，预溅射2-3min，预溅射的功率为50-70W，以进一步清洗基体材料的成膜表面。
随后开始通入流量为3.5-4.5sccm的N2，并维持Ar的流量为8-10sccm、真空室气压为1-1.5Pa、基体材料的负偏压为100-150V，将基体材料的温度控制为250-300℃，移开石墨/硼复合靶的挡板，以110-120W功率进行溅射，溅射时间为70-90min，以形成B-C-N光学薄膜。
随后维持Ar的惰性气氛，在700-750℃条件下对薄膜实施退火处理，处理时间为70-90min。
2.根据权利要求1所述的一种射频(13.56MHz)磁控溅射制得的硬质B-C-N光学薄膜，其特征是：所述硬质B-C-N光学薄膜的厚度约为135nm，硬度约为14GPa，并且元素的原子百分含量为22.7B-51.5C-25.8N，可见光区的平均透光率约为87％。
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