[发明专利]一种网络状绒面AZO透明导电膜的制备方法有效
申请号: | 201110305886.7 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN102593239A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 王明松;姜燕;何英 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 网络 状绒面 azo 透明 导电 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及AZO透明导电膜的制备方法,特别涉及一种具有网络状绒面的AZO透明导电膜的制备方法。
背景技术
透明导电氧化物(TCO)薄膜作为一种同时具备高可见光透过率和低电阻的光电信息材料,广泛用于薄膜太阳能电池、平板显示器、传感器以及各种光电器件,Al掺杂ZnO透明导电薄膜(ZnO: Al,简称AZO),是近几年研究较多的TCO之一,AZO与传统的TCO膜如ITO (In2O3: Sn)、FTO (SnO2: F)具有可比拟的光电性能,且具有易得、环境友好、在氢等离子体中性能稳定等优点。
AZO薄膜在用于薄膜太阳能电池时,在要求其具有高可见光透过率和低电阻的同时,还要求薄膜表面具有一定的粗糙度(绒度),以达到减反增透的目的,目前绒面AZO薄膜主要利用溅射后腐蚀和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)制备获得,相比气相沉积,湿化学法是一类工艺简单、成本低廉的薄膜制备方法,适用于大面积衬底上的均匀沉积,其中,溶胶-凝胶法可在分子级水平控制掺杂,是制备掺杂ZnO透明导电薄膜较为理想的方法,然而通常采用溶胶–凝胶法制备的AZO膜呈平整、光滑的表面,不能获得绒面结构,文献及专利检索表明,目前尚无有关利用溶胶–凝胶法制备绒面AZO膜的报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种网络状绒面AZO透明导电膜的制备方法,该方法能耗小、设备简单、重复性好、易于工业化生产。
为达到上述目的,本发明的技术方案中,采用溶胶–凝胶法制备网络状绒面AZO透明导电膜。
上述的一种网络状绒面AZO透明导电膜的制备方法,具体步骤为:
1、ZnO:Al胶体溶液的配制
将一定量分析纯醋酸锌和硝酸铝在搅拌下加入无水乙醇/乙二醇甲醚,并加入适量二乙醇胺/单乙醇胺。继续搅拌1~2小时,得到透明稳定的胶体溶液。
2、衬底清洗
将玻璃衬底置于去离子水、丙酮、无水乙醇中依次进行超声清洗,然后用去离子水冲洗,最后将衬底置于烘箱中晾干。
3、薄膜制备
将预先清洗好的玻璃衬底(石英、蓝宝石等)浸渍到上述透明胶体溶液中,然后以恒定速度缓慢上升,从而在衬底上涂覆一层均匀的胶体膜,将胶体膜在400°C进行预处理以除去膜中的有机溶剂,重复上述步骤若干次,获得不同厚度的AZO薄膜。
4、薄膜的热处理
将获得的AZO薄膜置于箱式炉中在空气中热处理1 h,然后将样品置于管式炉中,在还原气氛下热处理1 h,然后缓慢冷却至室温。
上述制备方法中,步骤1中Zn2+摩尔浓度为0.5 mol/L;Al/Zn原子浓度比为4%~6%:1;Zn2+与二乙醇胺/单乙醇胺的摩尔比为1:1。
上述制备方法中,步骤3中所述的恒定速度为6cm/min,胶体膜在400°C的预处理时间为10~20分钟;重复次数为10~16次;薄膜厚度为300~600 nm。
上述制备方法中,步骤4中在空气中和还原气氛下的热处理温度均为400°C,所用还原气体为Ar/H2、N2/H2或H2,Ar、N2气流速为1~8 L/min,H2气流速为0.2~2 L/min。
本发明的优点在于通过选择合适的Al掺杂浓度以及热处理气氛和温度,利用溶胶-凝胶法制备出具有网络状绒面的AZO透明导电膜,该网络状绒面AZO透明导电膜可用于气敏传感器、吸波、光催化、薄膜太阳能电池等领域。
附图说明
图1为实施例1制备的网络状绒面AZO透明导电膜的AFM图;
图2为实施例1制备的网络状绒面AZO透明导电膜的AFM图;
图3为实施例1制备的网络状绒面AZO透明导电膜的透过率谱;
图4为实施例2制备的网络状绒面AZO透明导电膜的AFM图;
图5为实施例2制备的网络状绒面AZO透明导电膜的AFM图;
图6为实施例2制备的网络状绒面AZO透明导电膜的透过率谱。
具体实施方式
下面的实施例是对本发明的进一步说明,而不是限制本发明的范围。
实施例1:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的