[发明专利]集成电路产业含氟废水处理方法

说明书

技术领域：

本发明属于氟化工技术领域，具体涉及一种集成电路产业含氟废水处理方法。

背景技术：

氟是一种微量元素，长期服用氟含量大于1.5mg/L的含氟水会给人带来许多不利影响，严重的会引起氟斑牙和氟骨病，然而氟化物又是重要的化工原料，广泛地应用于钢铁、有色金属冶金、化工、电子等诸多行业中，因而产生了大量含氟废水，对环境和人们的身体健康产生了威胁，我国1996年颁布的《污水综合排放标准》(GB8789-1996)中规定企业对外排放含氟废水，氟化物浓度不得超过10mg/L。

芯片刻蚀过程中排放二股含氟废水：高浓度含氟废水和低浓度含氟废水，其中高浓度含氟废水为刻蚀初期排放的废水，氟离子浓度可高达10000mg/L；低浓度含氟废水为后续冲洗废水，氟离子浓度约为500mg/L。

国内外含氟废水的处理方法主要有沉淀法和吸附法两大类。对于高浓度含氟废水一般可采用钙盐沉淀法，而在实际工程运行中，要确保氟离子浓度(F^-＜10mg/L)稳定达标，往往比较困难。

发明内容：

为了克服上述所说的不足，本发明提供一种集成电路产业含氟废水处理方法，用以解决现有集成电路产业含氟废水处理方法确保氟离子浓度(F^-＜10mg/L)稳定达标往往比较困难的问题。

为达到上述目的，本发明集成电路产业含氟废水处理方法，采用三级反应一级沉淀的工艺，包括含氟废水收集池、一级反应槽、二级反应槽、三级反应槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脱水机。含氟废水通过含氟废水收集池的进水口进入含氟废水收集池，含氟废水收集池管道连接至一级反应槽，在一级反应槽中加入氢氧化钙和氯化钙，一级反应槽管道连接至二级反应槽，在二级反应槽中加入PAC，二级反应槽管道连接至三级反应槽，在三级反应槽中加入PAM，三级反应槽管道连接至沉淀槽，沉淀槽一根管道连接至排放水槽，一根管道连接至污泥槽，污泥槽管道连接至污泥脱水机。

所述的含氟废水收集池采用钢混凝土结构，内净尺寸为4300mm×2200mm×3700mm，有效水深2.20米，有效容积20.8m³，水力停留时间4.2h，池内设穿孔管进行空气搅拌，池壁内衬玻璃钢防腐，1座。废水池内设置2台CFY65-50-160型液下泵，1用1备。

所述的化学反应系统共设三级反应槽，每级反应槽结构相同，反应槽槽体为钢结构，且内衬玻璃钢防腐。净尺寸为1200mm×1200mm×2500mm，有效水深2.35m，泥斗高0.95m，有效容积3.4m，水力停留时间0.68h，附搅拌装置。

所述的斜管沉淀槽槽体为钢结构，且内衬玻璃钢防腐。净尺寸为4000mm×2500mm×4400mm，1只。表面负荷0.5m/(m·h)，沉淀时间3h，重力排泥，分设2个泥斗。

所述的排放水槽槽体为钢结构，且为内衬玻璃钢防腐。净尺寸为2000mm×1000mm×2500mm，1只。有效水深2.00m，有效容积4.0m3，槽内设穿孔管进行空气搅拌。

所述的污泥处理系统中污泥以含水率99.5％计，总产量约为4m3/d，经厢式压滤机(型号XM15/800-UB，1台)脱水后，每天产生含水率80％的泥饼0.15t左右，最终将其外运送有资质的固废处理单位委托处置。

采用上述结构后，使用时，车间排放的含氟废水通过管路系统自流进入含氟废水收集池，含氟废水通过废水泵提升后进入一级反应槽，在该槽内投加Ca(OH)₂溶液和CaCl₂溶液，使氟离子生成CaF₂沉淀，并粗调pH值至8～9；然后废水自流入二级反应槽，在该槽内投加混凝剂PAC、NaOH溶液或H₂SO₄溶液，使CaF₂沉淀生成较大颗粒，并将pH值调至6～7；然后废水自流入三级反应槽，在该槽内投加絮凝剂PAM，增加CaF₂沉淀效果。经絮凝反应后的废水自流入斜管沉淀池，通过沉淀作用达到固液分离，同时使污泥得到沉淀和浓缩。斜管沉淀池出水自流入排放水槽，当氟离子浓度达标时排入厂区废水排水管网，当氟离子浓度超过排放标准时回流至含氟废水收集池继续处理。

本发明的优点是：结构简单，方便实用，有效地解决了现有集成电路产业含氟废水处理方法确保氟离子浓度(F^-＜10mg/L)稳定达标往往比较困难的问题。

附图说明：

图1为本发明集成电路产业含氟废水处理方法结构示意图。