[发明专利]集成电路产业含氟废水处理方法

权利要求书

1.一种集成电路产业含氟废水处理方法，采用三级反应一级沉淀的工艺，包括含氟废水收集池、一级反应槽、二级反应槽、三级反应槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脱水机，其特征是：含氟废水通过含氟废水收集池的进水口进入含氟废水收集池，含氟废水收集池管道连接至一级反应槽，在一级反应槽中加入氢氧化钙和氯化钙，一级反应槽管道连接至二级反应槽，在二级反应槽中加入PAC，二级反应槽管道连接至三级反应槽，在三级反应槽中加入PAM，三级反应槽管道连接至沉淀槽，沉淀槽一根管道连接至排放水槽，一根管道连接至污泥槽，污泥槽管道连接至污泥脱水机。

2.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是：含氟废水收集池采用钢混凝土结构，内净尺寸为4300mm×2200mm×3700mm，有效水深2.20米，有效容积20.8m³，水力停留时间4.2h，池内设穿孔管进行空气搅拌，池壁内衬玻璃钢防腐，1座。废水池内设置2台CFY65-50-160型液下泵，1用1备。

3.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是：化学反应系统共设三级反应槽，每级反应槽结构相同，反应槽槽体为钢结构，且内衬玻璃钢防腐。净尺寸为1200mm×1200mm×2500mm，有效水深2.35m，泥斗高0.95m，有效容积3.4m，水力停留时间0.68h，附搅拌装置。

4.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是：斜管沉淀槽槽体为钢结构，且内衬玻璃钢防腐。净尺寸为4000mm×2500mm×4400mm，1只。表面负荷0.5m/(m·h)，沉淀时间3h，重力排泥，分设2个泥斗。

5.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是：排放水槽槽体为钢结构，且为内衬玻璃钢防腐。净尺寸为2000mm×1000mm×2500mm，1只。有效水深2.00m，有效容积4.0m3，槽内设穿孔管进行空气搅拌。

6.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是：污泥处理系统中污泥以含水率99.5％计，总产量约为4m3/d，经厢式压滤机(型号XM15/800-UB，1台)脱水后，每天产生含水率80％的泥饼0.15t左右，最终将其外运送有资质的固废处理单位委托处置。