[发明专利]一种高性能芯片封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片封装结构，尤其涉及一种散热性能优良并可实现多个芯片封装工艺的高性能芯片封装结构，属于芯片封装技术领域。

背景技术

在集成电路的制作中，芯片是通过晶圆制作、形成集成电路以及切割晶圆等步骤而获得。在晶圆的集成电路制作完成之后，由晶圆切割所形成的芯片可以向外电性连接到承载器上；其中，承载器可以是引脚架或是基板，而芯片可以采用打线结合或覆晶结合的方式电性连接至承载器。如果芯片和承载器是以打线结合的方式电性连接，则进入到填入封胶的制作步骤以构成芯片封装体。芯片封装技术就是将芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。

在现行的芯片封装工艺中，人们最为关注的还是芯片的散热性能以及封装结构的封装能力，特别在对于一些大功率、多芯片的集成电路进行封装时，散热问题绝对是首要处理的问题，关系芯片的正常运行。

发明内容

针对上述需求，本发明提供了一种高性能芯片封装结构，该结构可实现多芯片封装，同时，能够确保封装结构良好的散热性能。 

本发明是一种高性能芯片封装结构，该高性能芯片封装结构包括金属引脚架、基板、芯片、散热片和封装体，其特征在于，所述的金属引脚架的封装端采用“Y”型结构，成对使用时可与焊接在其内部的基板形成一芯片容置腔，所述的芯片处于芯片容置腔内，并粘结在基板上，所述的散热片一端穿过金属引脚架之间的间隙与基板相连，另一端部伸出封装体。

在本发明一较佳实施例中，所述的芯片与基板之间一般采用热固型粘胶进行固定连接，然后通过金线进行电性连接。

在本发明一较佳实施例中，所述的芯片容置腔的上、下部均封装有基板及芯片，上、下芯片之间保持一定距离。

在本发明一较佳实施例中，所述的芯片容置腔的大小由基板及芯片的规格确定，芯片之间的距离能避免封装时金线发生接触而降低使用性能。

在本发明一较佳实施例中，所述的散热片与基板之间采用导热胶连接，同时，散热片与所接触的金属引脚架端部的间隙内设有密封胶。

在本发明一较佳实施例中，所述的散热片一般采用铜或铝合金材料制成。

本发明揭示了一种高性能芯片封装结构，该高性能芯片封装结构的封装空间利用率高，能够实施多芯片封装工艺；同时，良好的散热结构使芯片产生的热量易于释放，确保了芯片高效运行。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是本发明实施例高性能芯片封装结构的结构示意图；

附图中各部件的标记如下： 1、金属引脚架，2、基板，3、芯片，4、散热片，5、封装体，6、芯片容置腔，7、金线，8、密封胶。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

图1是本发明实施例高性能芯片封装结构的结构示意图；该高性能芯片封装结构包括金属引脚架1、基板2、芯片3、散热片4和封装体5，其特征在于，所述的金属引脚架1的封装端采用“Y”型结构，成对使用时可与焊接在其内部的基板2形成一芯片容置腔6，所述的芯片3处于芯片容置腔6内，并粘结在基板2上，所述的散热片4一端穿过金属引脚架1之间的间隙与基板2相连，另一端部伸出封装体5。

本发明中提及的高性能芯片封装结构中金属引脚架1、基板2和芯片3均封装在封装体5内，而散热片4一端在封装体5内部与基板2相连，另一端伸出封装体5，裸露在外界，提高散热性能；其中，封装体5采用硅胶材料。

芯片3与基板2之间一般采用热固型粘胶进行固定连接，然后通过金线7进行电性连接；封装体5内所形成的芯片容置腔6的上、下部均封装有基板2及芯片3，上、下芯片之间保持一定距离；芯片容置腔6的大小由基板2及芯片3的规格确定，芯片3之间的距离能避免封装时金线发生接触而降低使用性能，该距离一般占到芯片3及基板2总厚度的20%-40%。