[发明专利]薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的平板显示装置

说明书

本申请要求于2010年10月1日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0095957号韩国专利申请的权益，该申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的一种平板显示装置(例如有机发光显示装置或液晶显示装置)。

背景技术

通常，诸如有机发光显示装置或液晶显示装置的平板显示装置包括薄膜晶体管(TFT)和由TFT驱动并显示图像的像素单元。

TFT通常具有这样的结构，其中，栅极、有源层以及源极和漏极堆叠在基底上。因此，当通过安装在基底中的电路将电流施加到栅极时，电流通过有源层被施加到源极和漏极，并且电流同时被施加到连接到源极或漏极的像素电极。

像素单元通常包括像素电极、面向像素电极的对向电极以及设置在像素电极和对向电极之间的发射操作层。如果该装置是有机发光显示装置，则发射操作层可以是用于自发光的有机发射层。如果该装置是液晶显示装置，则发射操作层是选择性地允许背光穿过的液晶层。

在这种装置中，当电流如上所述地通过TFT施加到像素电极时，在像素电极和对向电极之间形成最佳电压。因此，在发射操作层中产生发射，从而显示图像。

发明内容

本公开提供一种改善后防止在有源层的晶化过程中的热流至栅极的薄膜晶体管(TFT)以及包括该TFT的平板显示装置。

根据一方面，提供一种TFT，该TFT包括：基底；栅极，形成在基底上方，栅极由掺杂有杂质的硅形成；栅极布线，连接到栅极；有源层，形成在栅极上方；源极和漏极，连接到有源层。

栅极布线可包括：硅层，掺杂有与形成栅极的硅的杂质相同的杂质，并且硅层位于与栅极相同的层上；金属层，形成在硅层上方。

有源层可由通过热晶化的非晶硅形成。杂质可以是N型杂质。

该TFT还可包括在有源层上的被构造为保护有源层不被蚀刻的蚀刻停止层。栅极绝缘层可形成在栅极和有源层之间。钝化层可形成在源极和漏极上方。

根据另一方面，提供一种包括TFT和由TFT驱动的像素单元的平板显示装置，其中，该TFT包括：基底；栅极，形成在基底上方并由掺杂有杂质的硅形成；栅极布线，连接到栅极；有源层，形成在栅极上方；源极和漏极，连接到有源层。

栅极布线可包括：硅层，掺杂有与形成栅极的硅的杂质相同的杂质，并且硅层位于与栅极相同的层上；金属层，形成在硅层上方。

有源层可由通过热晶化的非晶硅形成。杂质可以是N型杂质。

所述平板显示装置还可包括在有源层上的被构造为保护有源层不被蚀刻的蚀刻停止层。栅极绝缘层可形成在栅极和有源层之间。钝化层可形成在源极和漏极上方。

像素单元可包括：像素电极，连接到源极和漏极；对向电极，面向像素电极；发射操作层，设置在像素电极和对向电极之间，发射操作层被构造为根据施加到像素电极和对向电极之间的电压来操作。发射操作层可包括有机发射层和液晶层中的一种。

根据这里公开的TFT和平板显示装置，可以防止在有源层的晶化过程中的热流至栅极，因此可确保稳定的晶化，从而减少产品的质量变差。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，上述和其它特征和优点将变得更加清楚，在附图中：

图1是示出作为平板显示装置的示例的有机发光显示装置的实施例的剖视图；

图2是示出作为平板显示装置的示例的液晶显示装置的实施例的剖视图；

图3A至图3E是用于描述图1和图2中示出的平板显示装置的实施例的TFT的制造工艺的实施例的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述示例性实施例。相同的标号在整个说明书中通常指示相同的元件。在说明书中，为了易读性，可省略对公知的功能和结构的详细描述。

在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的厚度。还应理解的是，当层被称作“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在其它层或基底上，或者也可存在中间层。

已经广泛地使用利用激光通过热使TFT的有源层晶化的方法，其中，有源层由非晶硅形成。在有源层的晶化过程中，在有源层和设置在有源层下面的栅极之间会由于热流而出现问题。栅极由诸如铝的金属形成并设置在有源层下面。如果通过使用激光将热施加到有源层来使有源层晶化，则热快速地流至由金属形成的栅极，因此有源层不能被充分地晶化。

因此，为了确保有源层的稳定的晶化，需要开发一种能够解决由于热流导致的这种问题的方法。