[发明专利]薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的平板显示装置无效
| 申请号： | 201110303848.8 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446975A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 柳春其;崔俊厚 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹;郭鸿禧 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 具有 平板 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
基底；
栅极，形成在基底上方，栅极由掺杂有杂质的硅形成；
栅极布线，连接到栅极；
有源层，形成在栅极上方；
源极和漏极，连接到有源层。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极布线包括：
硅层，掺杂有与形成栅极的硅的杂质相同的杂质，并且硅层位于与栅极相同的层上；
金属层，形成在硅层上方。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，有源层由通过热晶化的非晶硅形成。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，杂质是N型杂质。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括在有源层上的被构造为保护有源层不被蚀刻的蚀刻停止层。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅极绝缘层形成在栅极和有源层之间。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，钝化层形成在源极和漏极上方。
8.一种包括薄膜晶体管和由薄膜晶体管驱动的像素单元的平板显示装置，其中，薄膜晶体管包括：
基底；
栅极，形成在基底上方并由掺杂有杂质的硅形成；
栅极布线，连接到栅极；
有源层，形成在栅极上方；
源极和漏极，连接到有源层。
9.如权利要求8所述的平板显示装置，其中，栅极布线包括：
硅层，掺杂有与形成栅极的硅的杂质相同的杂质，并且硅层位于与栅极相同的层上；
金属层，形成在硅层上方。
10.如权利要求8所述的平板显示装置，其中，有源层由通过热晶化的非晶硅形成。
11.如权利要求8所述的平板显示装置，其中，杂质是N型杂质。
12.如权利要求8所述的平板显示装置，所述薄膜晶体管还包括在有源层上的被构造为保护有源层不被蚀刻的蚀刻停止层。
13.如权利要求8所述的平板显示装置，其中，栅极绝缘层形成在栅极和有源层之间。
14.如权利要求8所述的平板显示装置，其中，钝化层形成在源极和漏极上方。
15.如权利要求8所述的平板显示装置，其中，像素单元包括：
像素电极，连接到源极和漏极；
对向电极，面向像素电极；
发射操作层，设置在像素电极和对向电极之间，发射操作层被构造为根据施加到像素电极和对向电极之间的电压来操作。
16.如权利要求8所述的平板显示装置，其中，发射操作层包括有机发射层和液晶层中的一种。
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