[发明专利]多层陶瓷电容器及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年3月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2011-0021077号的优先权，该申请的公开通过引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及多层陶瓷电容器及其制造方法，更具体地，涉及具有优良可靠性的高容量多层陶瓷电容器及其制造方法。

背景技术

一般来说，使用陶瓷材料的电子元件(诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等)包括由陶瓷材料制成的陶瓷体、形成于陶瓷体内的内部电极以及安装在陶瓷体的表面上以连接至内部电极的外部电极。

陶瓷电子元件中的多层陶瓷电容器被配置为包括多个层叠的介电层、被设置为彼此相对的内部电极(各介电层介于其间)以及电连接至内部电极的外部电极。

由于诸如小型化、高容量、安装方便等优点，多层陶瓷电容器已被广泛用作移动通讯设备(诸如电脑、PDA、手机等)的元件。

目前，随着电子产品已变得小型化和多功能化，芯片部件也趋于小型化和多功能化。因此，需要使多层陶瓷电容器小型化而同时提高其容量。

一般来说，可以如下方式制造多层陶瓷电容器。首先，通过制造陶瓷生片并在陶瓷生片上印刷导电胶(conductive paste)形成内部电极。通过以几层至几百层进行多层化其上形成有内部电极的陶瓷生片来制造生陶瓷层压体(green ceramic laminate)。此后，通过在高温和高压下压制生陶瓷层压体制造固体生陶瓷层压体，且固体生陶瓷层压体经过切割处理以制造生芯片。此后，通过塑化和烧结生芯片并然后在其上形成外部电极来完成多层陶瓷电容器。

当通过上述制造方法形成多层陶瓷电容器时，多层陶瓷电容器的边缘处的边缘部分被形成为比其他区域的边缘部分厚，从而，在塑化和烧结处理中很难去除碳。此外，为了容易地形成外部电极，应该执行将塑化芯片的形状抛光的抛光处理。因此，在抛光处理中芯片可能会破裂。

发明内容

本发明的目的在于提供具有优良可靠性的高容量多层陶瓷电容器及其制造方法。

根据本发明的示例性实施方式，提供了多层陶瓷电容器，包括：多层体，具有彼此相对的第一侧和第二侧以及将第一侧连接至第二侧的第三侧和第四侧；多个内部电极，形成在多层体中并具有暴露于第一侧或第二侧的末端边缘(distal edge)；第一侧构件和第二侧构件，形成在第一侧和第二侧上以覆盖多个内部电极的末端边缘；以及外部电极，形成在第三侧和第四侧上以电连接至内部电极。连接多个内部电极的末端边缘的假想线(virtual line，虚拟线)与第一侧构件或第二侧构件之间的角度小于90°(π/2)。

由连接多个内部电极的末端边缘的假想线与第一侧构件或第二侧构件形成的角度为5°至85°。

第一侧构件和第二侧构件可形成于整个第一侧或第二侧上。

第一侧构件和第二侧构件的末端边缘可与多层体的顶面或底面与其第一侧或第二侧相会合的边缘相会合。

第一侧构件和第二侧构件可形成于第一侧或第二侧的部分区域上。

第一侧构件和第二侧构件的末端边缘可以设置在多层体的顶面或底面与第一侧或第二侧相会合的边缘和多个内部电极中的最外面的内部电极末端边缘之间。

第一侧构件和所述第二侧构件可以被形成为部分地从第一侧和第二侧延伸至多层体的顶面或底面。

第一侧构件和第二侧构件的最大厚度为30μm或更小。

第一侧构件和第二侧构件可以被形成为具有曲率半径。

可通过层叠多个介电层形成多层体，其中，介电层具有形成第一侧和第二侧之间的间距的宽度，内部电极的宽度与介电层的宽度相同。

可由陶瓷浆料制成第一侧构件和第二侧构件。

内部电极可以被配置为包括第一内部电极和第二内部电极，其中，第一内部电极的一端暴露于第三侧，而另一端被形成为与第四侧间隔预定的间距，第二内部电极的一端暴露于第四侧，而另一端被形成为与第三侧间隔预定的间距。

根据本发明的另一个示例性实施方式，提供了多层陶瓷电容器，包括多层体、第一侧构件和第二侧构件以及外部电极。多层体包括多个内部电极。多层体具有彼此相对的第一侧和第二侧并具有将第一侧连接到第二侧的第三侧和第四侧。第一侧构件和第二侧构件形成于多层体的第一侧和第二侧上。第一侧构件和第二侧构件具有圆边缘。第一侧构件和第二侧构件与内部电极的末端边缘接触。外部电极形成于第三侧和第四侧上以电连接至内部电极。