[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括：

a)提供衬底，在该衬底上形成并行两个半导体鳍片、以及用于形成源/漏区的源/漏结构，其中，该源/漏结构分别与所述两个半导体鳍片的两端相连接；

b)形成栅介质层(400)以覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构；

c)形成相互分离的第一栅极(501)、第二栅极(502)以及第三栅极(503)，其中，所述第一栅极(501)和第二栅极(502)分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上，所述第三栅极(503)位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；

d)在所述源/漏结构中形成源/漏区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述步骤c)包括：

沉积栅极材料层(500)覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构，平坦化该栅极材料层(500)直至暴露所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构；以及

部分去除栅极材料层(500)，在所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上形成第一栅极(501)和第二栅极(502)，在所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间形成第三栅极(503)。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述衬底包括体硅衬底或者绝缘体上半导体衬底。

4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中：

所述栅介质层(400)的材料包括铪基材料、氧化铝、氧化镧、氧化锆、氧化硅或氮氧化硅中的一种或其任意组合。

5.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中：

所述栅极材料层(500)的材料包括多晶硅或者金属材料。

6.一种半导体结构，该半导体结构包括：

衬底，包括半导体层(100)以及位于该半导体层(100)之上的绝缘层(200)；

两个半导体鳍片，并行地位于该衬底之上；

源/漏区，位于分别与所述两个半导体鳍片两端相连接的源/漏结构内；

第一栅极(501)和第二栅极(502)，分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上；

第三栅极(503)，位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；以及

栅介质层(400)，位于所述第一栅极(501)、第二栅极(502)、第三栅极(503)与所述两个半导体鳍片之间。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中：

所述栅介质层(400)的材料包括铪基材料、氧化铝、氧化镧、氧化锆、氧化硅或氮氧化硅中的一种或其任意组合。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中：

所述第一栅极(501)、第二栅极(502)和/或第三栅极(503)的材料包括多晶硅或者金属材料。

9.根据权利要求6至8之一所述的半导体结构，其中，所述衬底包括体硅衬底或者绝缘体上半导体衬底。