[发明专利]消除DDR3负载差异影响的传输线结构及形成方法、内存结构

权利要求书

1.一种消除DDR3负载差异影响的传输线结构的形成方法，所述传输线结构包括第一类传输线和第二类传输线，分别适于在第一负载和第二负载下传输信号，所述第一负载大于所述第二负载；其特征在于，包括：

确定所述第一类传输线和第二类传输线的本征参数；

基于所述第一类传输线的本征参数和所述第一负载的负载容值确定所述第一类传输线的第一等效参数；

基于所述第二类传输线的本征参数和所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参数；

根据所述第一等效参数确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟；

调整所述第二等效参数至第三等效参数，以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配；

分别基于所述第一等效参数和所述第三等效参数形成基本传输线和特殊传输线，所述基本传输线和特殊传输线构成所述传输线结构。

2.根据权利要求1所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述确定所述第一类传输线和第二类传输线的本征参数包括：

根据所述第一类传输线的单位电感值和单位电容值确定所述第一类传输线的本征参数；

根据所述第二类传输线的单位电感值和单位电容值确定所述第二类传输线的本征参数。

3.根据权利要求2所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，基于所述第一类传输线的本征参数和所述第一负载的负载容值确定所述传输线的第一等效参数包括：根据所述第一类传输线的单位电感值和单位电容值以及所述第一负载的负载容值确定所述第一类传输线的第一等效参数。

4.根据权利要求2所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，基于所述第二类传输线的本征参数和所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参数包括：根据所述第二类传输线的单位电感值和单位电容值以及所述第二负载的负载容值确定所述第二类传输线的第二等效参数。

5.根据权利要求3所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述根据所述第一等效参数确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟包括：根据所述第一类传输线的长度以及信号在所述第一类传输线上的传输速度确定所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟。

6.根据权利要求1所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述调整所述第二等效参数至第三等效参数，以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配包括：调整所述第二类传输线的参数以使所述第二类传输线在第二负载下的等效延迟与所述第一类传输线在第一负载下的目标延迟相匹配。

7.根据权利要求6所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述调整所述第二类传输线的参数包括：调整所述第二类传输线的线长或者线宽或者线厚，以使所述第二等效参数变化成第三等效参数。

8.根据权利要求6所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述调整所述第二类传输线的参数包括：改变印制板的基材的材料，以使所述第二等效参数变化成第三等效参数，其中所述印制板承载所述第二类传输线。

9.根据权利要求1所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述分别基于所述第一等效参数和所述第三等效参数形成基本传输线和特殊传输线具体包括：

在第一负载下，根据所述第一等效参数形成基本传输线；

在第二负载下，根据所述第三等效参数形成特殊传输线。

10.根据权利要求1所述的传输线结构的形成方法，其特征在于，所述第一类传输线用于向DDR3 SDRAM传输地址信号和命令信号、所述第二类传输线用于向DDR3 SDRAM传输时钟信号和控制信号。

11.一种消除DDR3负载差异影响的传输线结构，所述传输线结构包括第一类传输线和第二类传输线，分别适于在第一负载和第二负载下传输信号，所述第一负载大于所述第二负载；其特征在于，在所述传输线结构中，在第一负载下，所述第一类传输线为基于第一等效参数形成的基本传输线；在第二负载下，所述第二类传输线为基于第三等效参数形成的特殊传输线，其中所述特殊传输线在第二负载下传输信号的等效延迟与所述基本传输线在第一负载下传输信号的目标延迟相匹配。