[发明专利]半导体存储装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年3月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0019324的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各个实施例涉及一种半导体存储装置。具体而言，某些实施例涉及通过控制页尺寸来实现数据存取的技术。

背景技术

在半导体存储装置中，根据比特组织(bit organization)的配置来决定同时输出的数据的比特数。通常，将半导体存储装置设计成可以灵活地选择多种比特组织，例如X4、X8、X16和X32。例如，在将半导体存储装置设计成与多种比特组织相兼容之后，将设置熔丝切断，并选择性地连接键合线以选择比特组织。

出于说明的目的，以下将说明这样一种半导体装置，所述半导体装置具有4Gb的储存容量和从外部供应的总共16比特的地址，且所述半导体装置是采用地址多路复用方案来配置的，在所述地址多路复用方案中连同各个命令一起顺序地供应行地址和列地址。

以上述方式配置的半导体存储装置通过16比特的行地址和10比特的列地址而可以对页尺寸为1K的存储器单元进行存取。此时，当半导体存储装置的储存容量增加至8Gb时，由于行地址的比特数限制为16，因此要增加列地址的比特数以对存储器单元进行存取。

另外，当比特组织改变时，指定额外的列地址以对存储器单元进行存取。由于储存容量增加至8Gb但行地址的比特数并未增加，因此半导体存储装置对页尺寸为2K的存储器单元进行存取，这造成电流消耗相比于对页尺寸为1K的存储器单元进行存取时的电流消耗更多。

发明内容

因此，需要一种能够克服上述的一个或更多个问题或缺点的改进的半导体存储装置。例如，根据各个示例性方面，本发明可以提供一种能够自由变换页尺寸的半导体存储装置。此外，一些示例性方面可以提供一种能够根据比特组织来控制数据存取的半导体存储装置。

虽然本发明可以克服上述问题或缺点中的一个或多个，但是应当理解的是，本发明的一些方面可能并不必克服这些问题或缺点中的一个或更多个。

在以下的描述中，某些方面和实施例将变得清楚。应当理解的是，这些方面和实施例仅是示例性的，并且广义上而言，即便在不具备这些方面和实施例中的一个或多个特征的条件下也能实施本发明。

为了实现这些优点并根据本发明的目的，如此处所实施且概括性描述的，本发明的一个方面可以提供一种半导体存储装置，包括：行选择信号发生单元，所述行选择信号发生单元被配置为响应于激活脉冲信号而输出行地址作为多个行选择信号；列控制单元，所述列控制单元被配置为基于页尺寸控制信号而选择性地指定并输出列地址的第一或第二列地址比特信号作为比特组织控制信号；列选择信号发生单元，所述列选择信号发生单元被配置为响应于列脉冲信号而输出列地址作为多个列选择信号，且输出比特组织控制信号作为选项列选择信号；页尺寸控制单元，所述页尺寸控制单元被配置为基于页尺寸控制信号而产生第一和第二块使能信号，所述第一和第二块使能信号具有与所述多个行选择信号中的一个或所述多个列选择信号中的一个相对应的电平；第一页块，所述第一页块被配置为响应于第一块使能信号而将所述多个行选择信号所选中的多个第一存储器单元使能，并通过所述多个列选择信号和选项列选择信号来激活从选中的所述多个第一存储器单元中选择的存储器单元的数据存取；以及第二页块，所述第二页块被配置为响应于第二块使能信号而将所述多个行选择信号选中的多个第二存储器单元使能，并通过所述多个列选择信号和选项列选择信号来激活从选中的所述多个第二存储器单元中选择的存储器单元的数据存取。

根据另一个示例性方面，一种半导体存储装置可以包括：页尺寸控制单元，所述页尺寸控制单元被配置为基于页尺寸控制信号而产生具有与多个行选择信号中的一个或多个列选择信号中的一个相对应的电平的第一和第二块使能信号；第一页块，所述第一页块被配置为响应于第一块使能信号而将由所述多个行选择信号所选中的多个第一存储器单元使能，并通过所述多个列选择信号和选项列选择信号来激活从选中的所述多个第一存储器单元中选择的存储器单元的数据存取；以及第二页块，所述第二页块被配置为响应于第二块使能信号而将由所述多个行选择信号所选中的多个第二存储器单元使能，并通过所述多个列选择信号和选项列选择信号来激活从选中的所述多个第二存储器单元中选择的存储器单元的数据存取。

本发明的其它的目的和优点的一部分将在以下的描述中阐明，一部分将从描述中显然地得出，或者可以通过实践本发明而习得。借助于所附权利要求中特别指出的要素和组合可以了解并获得本发明的目的和优点。